ENHANCEMENT MODE III-NITRIDE DEVICES HAVING AN AL(1-X)SIXO GATE INSULATOR

• Main Authors: LAL, Rakesh, K, NEUFELD, Carl Joseph, GRITTERS, John, Kirk, MISHRA, Umesh, KIKKAWA, Toshihide, RHODES, David, Michael, LIU, Xiang, WU, Mo
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 20.07.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A transistor includes a III-N channel layer; a III-N barrier layer on the III-N channel layer; a source contact and a drain contact, the source and drain contacts electrically coupled to the III-N channel layer; an insulator layer on the III-N barrier layer; a gate insulator partially on the insulator layer and partially on the III-N channel layer, the gate insulator including an amorphous Al1-xSixO layer with 0.2 < x < 0.8; and a gate electrode over the gate insulator, the gate electrode being positioned between the source and drain contacts. L'invention concerne un transistor qui comprend une couche de canal en N-III ; une couche barrière en N-III sur la couche de canal en N-III ; un contact de source et un contact de drain, les contacts de source et de drain étant couplés électriquement à la couche de canal en N-III ; une couche isolante sur la couche barrière en N-III ; un isolant de grille partiellement sur la couche isolante et partiellement sur la couche de canal en N-III, l'isolant de grille comprenant une couche amorphe en Al1-xSixO avec 0,2 < x < 0,8 ; et une électrode de grille sur l'isolant de grille, l'électrode de grille étant positionnée entre les contacts de source et de drain.