BONDED SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED SUBSTRATE

• Main Authors: EBIGASE, Takashi, AWAKURA, Yasutaka, KAKU, Takeshi, TANI, Makoto
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 06.07.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a bonded substrate mainly for mounting a power semiconductor in which the reliability to a thermal cycle has been enhanced as compared with a conventional one. In a bonded substrate in which a copper plate is bonded to one or both main surface(s) of a nitride ceramic substrate, a bonding layer consisting of TiN intervenes between the nitride ceramic substrate and the copper plate and is adjacent at least to the copper plate, and an Ag distribution region in which Ag atoms are distributed is set to be present in the copper plate. Preferably, an Ag-rich phase is set to be present discretely at an interface between the bonding layer and the copper plate. La présente invention concerne un substrat lié destiné essentiellement à monter un semi-conducteur de puissance pour lequel la fiabilité à un cycle thermique a été améliorée par rapport à un substrat classique. Dans un substrat lié dans lequel une plaque de cuivre est liée à une ou aux deux surfaces principales d'un substrat de céramique à base de nitrure, une couche de liaison qui se compose de nitrure de titane (TiN) intervient entre le substrat de céramique à base de nitrure et la plaque de cuivre et est adjacente à au moins la plaque de cuivre, et une région de distribution d'argent (Ag) dans laquelle sont répartis des atomes d'argent est définie de sorte à être présente dans la plaque de cuivre. De préférence, une phase riche en argent est définie de sorte à être présente discrètement au niveau d'une interface entre la couche de liaison et la plaque de cuivre.