HANDLER BONDING AND DEBONDING FOR SEMICONDUCTOR DIES

• Main Authors: ANDRY, Paul, HUNG, Li-Wen, GELORME, Jeffrey, Donald, KNICKERBOCKER, John, DANG, Bing, YANG, Cornelia, Tsang
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 06.07.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Various embodiments process semiconductor devices (202, 302). In one embodiment, a release layer (210) is applied to a handler (204). The release layer (210) comprises at least one additive that adjusts a frequency of electro-magnetic radiation absorption property of the release layer (210). The additive comprises, for example, a 355nm chemical absorber and/or chemical absorber for one of more wavelengths in a range comprising 600nm to 740nm. The at least one singulated semiconductor device (202) is bonded to the handler (204). The at least one singulated semiconductor device (202) is packaged while it is bonded to the handler (204). The release layer (210) is ablated by irradiating the release layer (210) through the handler (204) with a laser (214). The the at least one singulated semiconductor device (202) is removed from the transparent handler (204) after the release layer (210) has been ablated. Selon divers modes de réalisation, l'invention concerne le traitement de dispositifs à semi-conducteur (202, 302). Dans un mode de réalisation, une couche antiadhésive (210) est appliquée sur un manipulateur (204). La couche antiadhésive (210) comprend au moins un additif qui ajuste une fréquence de la propriété d'absorption de rayonnement électromagnétique de la couche antiadhésive (210). L'additif comprend, par exemple, un absorbeur chimique à 355 nm et/ou un absorbeur chimique d'une ou de plusieurs longueurs d'onde dans une plage de 600 nm à 740 nm. Au moins un dispositif à semi-conducteur séparé (202) est collé au manipulateur (204). Le ou les dispositifs à semi-conducteur séparés (202) sont mis sous boîtier pendant qu'ils sont collés au manipulateur (204). La couche antiadhésive (210) est soumise à une ablation par exposition de la couche antiadhésive (210) à un laser (214) à travers le manipulateur (204). Le ou les dispositifs à semi-conducteur séparés (202) sont retirés du manipulateur transparent (204) après ablation de la couche antiadhésive (210).