PLASMA TREATMENT DEVICE

• Main Authors: HOSAKA, Yuki, UMEZAWA, Yoshihiro, NAKAJIMA, Toshiki, UDA, Mayo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.06.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A plasma treatment device (10) is provided with a baffle plate (61), a shutter (62), and a driving device (70). The baffle plate (61) has a cylindrical shape, and has formed in a side wall thereof a plurality of penetrating holes (61h). The shutter (62) has a cylindrical shape and is provided around the baffle plate (61) so as to be movable along the side wall of the baffle plate (61) in the axial direction of the baffle plate (61). The driving device (70) moves the shutter (62) along the side wall of the baffle plate (61). The plurality of penetrating holes (61h) are disposed in the side wall of the baffle plate (61) such that, in relation to the amount of movement of the shutter (62), the amount of change in combined conductance of the penetrating holes (61h) that are not covered by the shutter (62) increases the further downward the shutter (62) moves. Un dispositif de traitement au plasma (10) est muni d'une chicane (61), d'un volet (62) et d'un dispositif d'entraînement (70). La chicane (61) a une forme cylindrique et une pluralité de trous traversants (61h) sont formés dans une de ses parois latérales. Le volet (62) de forme cylindrique est disposé autour de la chicane (61) de manière à être mobile le long de la paroi latérale de la chicane (61) dans la direction axiale de la chicane (61). Le dispositif d'entraînement (70) déplace le volet (62) le long de la paroi latérale de la chicane (61). La pluralité de trous pénétrants (61h) sont disposés dans la paroi latérale de la chicane (61) de telle sorte que, par rapport à la quantité de mouvement du volet (62), la quantité de changement de conductance combinée des trous pénétrants (61h) qui ne sont pas recouverts par le volet (62) augmente davantage vers le bas que le volet (62) ne se déplace. プラズマ処理装置（１０）は、バッフル板（６１）と、シャッタ（６２）と、駆動装置（７０）とを備える。バッフル板（６１）は、円筒形状であって、側壁に複数の貫通孔（６１ｈ）が形成される。シャッタ（６２）は、円筒形状であって、バッフル板（６１）の軸方向にバッフル板（６１）の側壁に沿って移動可能にバッフル板（６１）の周囲に設けられる。駆動装置（７０）は、シャッタ（６２）をバッフル板（６１）の側壁に沿って移動させる。複数の貫通孔（６１ｈ）は、シャッタ（６２）が下方へ移動するほど、シャッタ（６２）の移動量に対する、シャッタ（６２）に覆われていない貫通孔（６１ｈ）の合成コンダクタンスの変化量が増加するように、バッフル板（６１）の側壁に配置されている。