MAGNETORESISTIVE STACK, SEED REGION THEREFOR AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

• Main Authors: SLAUGHTER, Jon, CHIA, Han-jong, WHIG, Renu
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 15.06.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORDCARRIER AND TRANSDUCER; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; STATIC STORES; TRANSPORTING

A magnetoresistive stack/structure and method of manufacturing same comprising wherein the stack/structure includes a seed region, a fixed magnetic region disposed on and in contact with the seed region, a dielectric layer(s) disposed on the fixed magnetic region and a free magnetic region disposed on the dielectric layer(s). In one embodiment, the seed region comprises an alloy including nickel and chromium having (i) a thickness greater than or equal to 40 Angstroms (+/- 10%) and less than or equal to 60 Angstroms (+/- 10%), and (ii) a material composition or content of chromium within a range of 25-60 atomic percent (+/- 10%) or 30-50 atomic percent (+/- 10%). L'invention concerne un empilement magnéto-résistif/une structure magnéto-résistive ainsi qu'un procédé de fabrication associé, l'empilement/la structure comprenant : une zone initiale ; une zone magnétique fixe disposée sur la zone initiale et en contact avec celle-ci ; une ou plusieurs couches diélectriques disposées sur la zone magnétique fixe ; et une zone magnétique libre disposée sur la ou les couches diélectriques. Dans un mode de réalisation, la zone initiale comprend un alliage comprenant du nickel et du chrome ayant : (i) une épaisseur supérieure ou égale à 40 Angströms (+/- 10 %) et inférieure ou égale à 60 Angströms (+/- 10 %) ; et (ii) une composition ou une teneur en chrome située dans une plage de 25 à 60 pour cent atomique (+/- 10 %) ou de 30 à 50 pour cent atomique (+/- 10 %).