SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: HORI, Tsutomu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.06.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A silicon carbide single crystal substrate of the present invention has a first main surface, and an orientation flat. The orientation flat extends in the <11-20> direction. The first main surface includes an end portion region within 5 mm from the outer periphery of the first main surface. In the direction perpendicular to the first main surface, a warping quantity of the end portion region continuous to the orientation flat is equal to or less than 3 μm. La présente invention concerne un substrat en carbure de silicium monocristallin qui présente une première surface principale et un méplat d'orientation. Le méplat d'orientation s'étend dans la direction <11-20>. La première surface principale comprend une région d'extrémité située à moins de 5 mm de la périphérie extérieure de la première surface principale. Dans la direction perpendiculaire à la première surface principale, une quantité de gauchissement de la région d'extrémité, continue par rapport au méplat d'orientation, est inférieure ou égale à 3 µm. 炭化珪素単結晶基板は、第１主面と、オリエンテーションフラットとを有している。オリエンテーションフラットは、＜１１－２０＞方向に延在する。第１主面は、第１主面の外周から５ｍｍ以内の端部領域を含む。第１主面に対して垂直な方向において、オリエンテーションフラットと連なる端部領域の反り量は、３μｍ以下である。