SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SOLVENT USED FOR SAME METHOD

• Main Authors: YAO, Akifumi, FUJIWARA, Masaki, NANAI, Hidehisa, KUMON, Soichi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.05.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A substrate processing method according to the present invention includes cleaning a surface of a semiconductor substrate with a water-based cleaning liquid, and drying the water-based cleaning liquid attached to the substrate surface using supercritical fluid, the method characterized in that a solvent is used as the fluid, wherein the solvent includes the elements Fe, Ni, Cr, Al, Zn, Cu, Mg, Li, K, Na, and Ca each having a content of not more than 500 mass ppb, and contains fluorine-containing alcohol having a carbon number of 2 to 6. According to the processing method, the amount of fluorine atoms emitted in the supercritical fluid can be decreased. Selon la présente invention, un procédé de traitement de substrat consiste à nettoyer une surface d'un substrat semi-conducteur avec un liquide de nettoyage à base d'eau, et à sécher le liquide de nettoyage à base d'eau attaché à la surface de substrat en utilisant un fluide supercritique, le procédé étant caractérisé par le fait qu'un solvant est utilisé comme fluide, le solvant contenant les éléments Fe, Ni, Cr, Al, Zn, Cu, Mg, Li, K, Na, et Ca avec chacun une teneur massique inférieure ou égale à 500 ppb, et contenant un alcool contenant du fluor ayant un nombre de carbones de 2 à 6. Selon le procédé de traitement, la quantité d'atomes de fluor émis dans le fluide supercritique peut être réduite. 本発明の基板の処理方法は、半導体基板の表面を水系洗浄液で洗浄し、基板面に付着した水系洗浄液を超臨界流体に置換して乾燥する方法であり、該流体として、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｋ、Ｎａ、Ｃａの各元素の含有量がそれぞれ５００質量ｐｐｂ以下である、炭素数が２～６の含フッ素アルコールを含有する溶剤を用いることを特徴とする。該処理方法では、超臨界流体中でのフッ素原子の放出量を低減することができる。