A METHOD FOR PRE-TREATING A SURFACE FOR COATING

A method for pre-treating a substrate (200) for surface coating by subjecting the substrate to metal ions and noble gas ions selected from the group of argon-ions, krypton-ions, neon-ions, xenon-ions and helium-ions in a vacuum chamber (10) and applying a negative electrical potential (P1, P2) on th...

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Main Authors HOVSEPIAN, Papken, Ehiasar, EHIASARIAN, Arutiun, Papken, AHLGREN, Mats, CARLSTRÖM, Carl-Fredrik
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 18.05.2017
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Summary:A method for pre-treating a substrate (200) for surface coating by subjecting the substrate to metal ions and noble gas ions selected from the group of argon-ions, krypton-ions, neon-ions, xenon-ions and helium-ions in a vacuum chamber (10) and applying a negative electrical potential (P1, P2) on the substrate (1), wherein the substrate (200) is pre-treated in at least two steps (1000, 2000), wherein the steps are performed subsequently in the vacuum chamber (10), wherein the first step (1000) comprises providing a plasma comprising predominantly noble gas ions selected from the group of argon-ions, krypton-ions, neon-ions, xenon-ions and helium-ions in the vacuum chamber (10), and applying a first negative electrical potential (P1) on the substrate (200) and wherein the second step (2000) comprises providing a plasma comprising predominantly metal ions in the vacuum chamber (10), and applying a second negative electrical potential (P2) on the substrate (200), wherein the first electrical potential (P1) is lower than the second electrical potential (P2), and wherein the magnitude of the first negative potential (P1) is 100 - 1500 V. Cette invention porte sur un procédé de prétraitement d'un substrat (200) en vue d'un revêtement de surface, le prétraitement consistant à exposer le substrat, dans une chambre à vide (10), à des ions métalliques et des ions de gaz noble choisis parmi des ions argon, des ions krypton, des ions néon, des ions xénon et des ions hélium, et à appliquer un potentiel électrique négatif (P1, P2) sur le substrat (1), ledit substrat (200) étant prétraité au cours d'au moins deux étapes (1000, 2000) réalisées ensuite dans la chambre à vide (10). La première étape (1000) consiste à fournir un plasma contenant principalement des ions de gaz noble choisi parmi des ions argon, des ions krypton, des ions néon, des ions xénon et des ions hélium dans la chambre à vide (10), et à appliquer un premier potentiel électrique négatif (P1) sur le substrat (200) ; la seconde étape (2000) consiste à fournir un plasma comprenant principalement des ions métalliques dans la chambre à vide (10) et à appliquer un second potentiel électrique négatif (P2) sur le substrat (200), le premier potentiel électrique (P1) étant inférieur au second potentiel électrique (P2) et la valeur du premier potentiel négatif (P1) allant de 100 à 1500 V.
Bibliography:Application Number: WO2016EP75171