THERMAL-PHOTO CONVERSION MEMBER

• Main Authors: SUZUKI, Motofumi, TOKUMARU, Shinji, UNO, Tomohiro, NISHIURA, Kensuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 11.05.2017
• Subjects: CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERATION; GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRA-REDRADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, E.G. USINGPHOTOVOLTAIC [PV] MODULES

Provided is a thermal-photo conversion member capable of selectively absorbing and emitting short-wavelength light. The thermal-photo conversion member is characterized by being provided with a laminated structure wherein silicide layers and dielectric layers are alternately formed in a metal region and that has a total number of the silicide layers and the dielectric layers of 3-12, the laminated structure having a silicide layer B2, a dielectric layer M3 and a silicide layer M4, in this order, in the metal region 1, the thickness of the silicide layer B2 being 5-25 nm, the thickness of the dielectric layer M3 being 10-45 nm and the thickness of the silicide layer M4 being 2-15 nm. L'invention concerne un élément de conversion thermique-photo apte à absorber et à émettre de manière sélective de la lumière à courte longueur d'onde. Ledit élément de conversion thermique-photo est caractérisé en ce qu'il comprend une structure stratifiée dans laquelle des couches de siliciure et des couches diélectriques sont formées alternativement dans une région métallique et qui a un nombre total de couches de siliciure et de couches diélectriques compris entre 3 et 12, la structure stratifiée ayant une couche de siliciure B2, une couche diélectrique M3 et une couche de siliciure M4, dans cet ordre, dans la région métallique 1, l'épaisseur de la couche de siliciure B2 étant comprise entre 5 et 25 nm, l'épaisseur de la couche diélectrique M3 étant comprise entre 10 et 45 nm et l'épaisseur de la couche de siliciure M4 étant comprise entre 2 à 15 nm. 短い波長の光を選択的に吸収、放射することができる熱光変換部材を提供する。　金属域の上に、シリサイド層と誘電体層が交互に形成され、前記シリサイド層と前記誘電体層の層数の合計が３層以上１２層以下の積層構造を備え、前記積層構造は、前記金属域１の上に順にシリサイド層B２、誘電体層M３、及びシリサイド層M４を有し、前記シリサイド層B２の厚さは5nm以上25nm以下、前記誘電体層M３の厚さは10nm以上45nm以下、前記シリサイド層M４の厚さは2nm以上15nm以下であることを特徴とする。