HBC CRYSTALLINE SOLAR CELL PRODUCTION METHOD AND PRODUCTION DEVICE

• Main Authors: MIURA Shin, YAMAZAKI Yoshifumi, YAMAGUCHI Noboru, TANAKA Miwa, NISHIHASHI Tsutomu, SAKATA Genji, YOKOO Hidekazu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.04.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

In this HBC crystalline solar cell production method: a substrate having a non-light-receiving surface and comprising a first conduction-type crystalline silicon is used; an i-type amorphous Si layer is formed so as to cover the non-light-receiving surface of the substrate; a first site having the same conduction type as the first conduction type and a second site having a different conduction type from the first conduction type are formed, at mutually separated positions on the amorphous Si layer, using an impurities introduction method using a mask; and the amorphous Si layer having had the impurities introduced thereto is annealed. The step in which the first site and the second site are formed includes: a first step in which a finger section of the first site is formed; a second step in which a busbar section of the first site is formed; a third step in which a finger section of the second site is formed; and a fourth step in which a busbar section of the second site is formed. Selon le procédé de fabrication de batterie solaire à base de cristaux type HBC de l'invention, un substrat possédant une face non réceptrice de lumière et constitué de silicium à base de cristaux d'un premier type de conductivité, est mis en œuvre, une couche Si amorphe de type i, est formée de manière à recouvrir ladite face non réceptrice de lumière dudit substrat, une première région de type de conductivité similaire audit premier type de conductivité et une seconde région de type de conductivité différent dudit premier type de conductivité, sont formées en des positions éloignées l'une de l'autre par un procédé d'introduction d'impuretés mettant en œuvre un masque dans ladite couche Si amorphe, et un traitement de recuit est exécuté sur ladite couche Si amorphe après introduction des impuretés. Le processus de formation de ladite première et de ladite seconde région inclut : une première étape de formation d'une partie doigt de ladite première région ; une seconde étape de formation d'une partie omnibus de ladite première région ; une troisième étape de formation d'une partie doigt de ladite seconde région ; et une quatrième étape de formation d'une partie omnibus de ladite seconde région. 本発明のＨＢＣ型結晶系太陽電池の製造方法は、非受光面を有し、第一導電型の結晶系シリコンからなる基板を用い、前記基板の前記非受光面を覆うように、ｉ型のアモルファスＳｉ層を形成し、前記アモルファスＳｉ層に対して、マスクを利用した不純物導入法により、前記第一導電型と同じ導電型の第１部位および前記第一導電型と異なる導電型の第２部位を、互いに離間した位置に形成し、不純物が導入された後の前記アモルファスＳｉ層に対して、アニール処理を施す。前記第１部位及び前記第２部位を形成する工程は、前記第１部位のフィンガー部を形成する第１ステップと、前記第１部位のバスバー部を形成する第２ステップと、前記第２部位のフィンガー部を形成する第３ステップと、前記第２部位のバスバー部を形成する第４ステップとを含む。