SOLAR CELL ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND SOLAR CELL MODULE

A solar cell element 1 is provided with a first silicon oxide layer 9a disposed on a silicon substrate 2, and a second silicon oxide layer 9b disposed on the first silicon oxide layer 9a with more silicon content relative to oxygen than the first silicon oxide layer 9a. Furthermore, in the solar cel...

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Main Authors KOMODA, Manabu, FUKUCHI, Kenji, IRIE, Yuuta, TERAMURA, Tsuyoshi, OOBA, Kenji
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 06.04.2017
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Summary:A solar cell element 1 is provided with a first silicon oxide layer 9a disposed on a silicon substrate 2, and a second silicon oxide layer 9b disposed on the first silicon oxide layer 9a with more silicon content relative to oxygen than the first silicon oxide layer 9a. Furthermore, in the solar cell element 1, the surface of the silicon substrate 2 is oxidized to form the first silicon oxide layer 9a, and through a CVD method using monosilane gas and nitrous oxide gas, the second silicon oxide layer 9b is formed on the first silicon oxide layer 9a. Further, a solar cell module 30 is provided with the solar cell element 1. Un élément de cellule solaire 1 est pourvu d'une première couche d'oxyde de silicium 9a disposée sur un substrat de silicium 2, et d'une seconde couche d'oxyde de silicium 9b disposée sur la première couche d'oxyde de silicium 9a avec une teneur en silicium supérieure par rapport à l'oxygène que la première couche d'oxyde de silicium 9a. En outre, dans l'élément de cellule solaire 1, la surface du substrat de silicium 2 est oxydée pour former la première couche d'oxyde de silicium 9a, et au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à l'aide de gaz de monosilane et d'oxyde nitreux gazeux, la seconde couche d'oxyde de silicium 9b est formée sur la première couche d'oxyde de silicium 9a. En outre, un module de cellule solaire 30 est pourvu de l'élément de cellule solaire 1. 太陽電池素子1は、シリコン基板2の上に配置された第1酸化シリコン層9aと、第1酸化シリコン層9aの上に配置され、第1酸化シリコン層9aよりも酸素に対するシリコンの含有量が多い第2酸化シリコン層9bと、を備えている。また、太陽電池素子1は、シリコン基板2の表面を酸化して第1酸化シリコン層9aを形成して、モノシランガスおよび亜酸化窒素ガスを用いたCVD法によって、第1酸化シリコン層9aの上に第2酸化シリコン層9bを形成する。また、太陽電池モジュール30は太陽電池素子1を備えている。
Bibliography:Application Number: WO2016JP78894