METHOD AND SYSTEM FOR PROCESS CONTROL WITH FLEXIBLE SAMPLING

• Main Authors: KLEIN, Dana, DEMIRER, Onur, VOLKOVICH, Roie, WAGNER, Mark, PIERSON, William
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 30.03.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The generation of flexible sparse metrology sample plans includes receiving a full set of metrology signals from one or more wafers from a metrology tool, determining a set of wafer properties based on the full set of metrology signals and calculating a wafer property metric associated with the set of wafer properties, calculating one or more independent characterization metrics based on the full set of metrology signals, and generating a flexible sparse sample plan based on the set of wafer properties, the wafer property metric, and the one or more independent characterization metrics. The one or more independent characterization metrics of the one or more properties calculated with metrology signals from the flexible sparse sampling plan is within a selected threshold from one or more independent characterization metrics of the one or more properties calculated with the full set of metrology signals. La génération de plans d'échantillonnage métrologique épars souple consiste à recevoir d'un outil métrologique un ensemble complet de signaux métrologiques émis par une ou plusieurs tranches; à déterminer un ensemble de propriétés de tranches sur la base de l'ensemble complet de signaux métrologiques, et à calculer une métrique de propriétés des tranches associée à l'ensemble de propriétés de tranches; à calculer une ou plusieurs métriques de caractérisation indépendante sur la base de l'ensemble complet de signaux métrologiques; et à générer un plan d'échantillonnage épars souple basé sur: l'ensemble de propriétés de tranches, la métrique de propriétés de tranches, et lesdites une ou plusieurs métriques de caractérisation indépendante. Lesdites une ou plusieurs métriques de caractérisation indépendante desdites une ou plusieurs propriétés calculées avec des signaux métrologiques à partir du plan d'échantillonnage épars souple se situent dans un seuil choisi parmi une ou plusieurs métriques de caractérisation indépendante desdites une ou plusieurs propriétés calculées avec l'ensemble complet de signaux métrologiques.