CERAMIC MULTILAYER SUBSTRATE

A ceramic multilayer substrate (100) is provided with a ceramic insulator layer (CL) that includes a first layer (1), a second layer (2), and a third layer (3), the first layer (1) being sandwiched between the second layer (2) and the third layer (3); an internal pattern conductor (4); an external p...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors KATSUBE, Tsuyoshi, HANAO, Masaaki, KISHIDA, Kazuo
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 23.03.2017
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:A ceramic multilayer substrate (100) is provided with a ceramic insulator layer (CL) that includes a first layer (1), a second layer (2), and a third layer (3), the first layer (1) being sandwiched between the second layer (2) and the third layer (3); an internal pattern conductor (4); an external pattern conductor (5); and external electrodes (6A, 6B). The ceramic insulator layer (CL) is sandwiched between the internal pattern conductor (4) and the external pattern conductor (5). The sintering shrinkage starting temperature of the second layer (2) alone or the third layer (3) alone in a green sheet state is greater than or equal to the sintering shrinkage starting temperature of the first layer (1) alone in a green sheet state. The thickness of the ceramic insulator layer (CL) is 5.0 µm to 55.7 µm, inclusive. The ratio of total of the thickness of the second layer (2) and the thickness of the third layer (3) to the thickness of the first layer (1) is 0.25 to 1.11, inclusive. L'invention porte sur un substrat multicouche en céramique (100) pourvu d'une couche d'isolant céramique (CL) qui comprend une première couche (1), une deuxième couche (2), et une troisième couche (3), la première couche (1) étant prise en sandwich entre la deuxième couche (2) et la troisième couche (3); d'un conducteur de motif interne (4); d'un conducteur de motif externe (5); et d'électrodes externes (6A, 6B). La couche d'isolant céramique (CL) est prise en sandwich entre le conducteur de motif interne (4) et le conducteur de motif externe (5). La température de début de retrait au frittage de la deuxième couche (2) seule ou de la troisième couche (3) seule dans un état de feuille crue est supérieure ou égale à la température de début de retrait de frittage de la première couche (1) seule dans un état de feuille crue. L'épaisseur de la couche d'isolant céramique (CL) est de 5,0 µm à 55,7 µm, inclus. Le rapport entre les épaisseurs totales des deuxième couche (2) et troisième couche (3) et l'épaisseur totale de la première couche (1) est de 0,25 à 1,11, inclus. セラミック多層基板(100)は、第1の層(1)、第2の層(2)および第3の層(3)を含み、第1の層(1)が第2の層(2)および第3の層(3)の間に挟まれてなるセラミック絶縁体層(CL)と、内部パターン導体(4)と、外部パターン導体(5)と、外部電極(6A,6B)とを備えている。セラミック絶縁体層(CL)は、内部パターン導体(4)および外部パターン導体(5)の間に挟まれている。グリーンシート状態における第2の層(2)単体および第3の層(3)単体の焼結収縮開始温度は、グリーンシート状態における第1の層(1)単体の焼結収縮終了温度以上である。セラミック絶縁体層(CL)の厚みは、5.0μm以上55.7μm以下である。第2の層(2)の厚みと第3の層(3)の厚みとの合計の、第1の層(1)の厚みに対する比は、0.25以上1.11以下である。
Bibliography:Application Number: WO2016JP77125