COMPOSITE SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: KITAMURA, Kazumasa, NAGAE, Tomoki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.03.2017
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; RESONATORS; TRANSPORTING

A composite substrate manufacturing method of the present invention comprises: (a) a step of mirror-polishing a piezoelectric substrate side of a bonded substrate which comprises a piezoelectric substrate and a support substrate bonded to each other and which has a diameter of not less than 2 inches, until the thickness of the piezoelectric substrate becomes 20 μm or less; (b) a step of performing ion beam processing so that an outer peripheral portion of the piezoelectric substrate becomes thicker than an inner peripheral portion and that the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness of the inner peripheral portion of the piezoelectric substrate is not more than 100 nm across the entire surface; and (c) a step of performing CMP polishing using a polishing pad with a diameter of not less than 5 mm and not more than 30 mm, wherein the polishing pad is moved and rotated while a constant pressing force of the polishing pad is maintained, so as to remove at least a part of an altered layer produced by the ion beam processing, thereby making the entire surface of the piezoelectric substrate flat. La présente invention concerne un procédé de fabrication de substrat composite qui comprend les étapes suivantes : (a) le polissage miroir d'un côté substrat piézoélectrique d'un substrat collé qui comporte un substrat piézoélectrique et un substrat de support collés l'un à l'autre et qui présente un diamètre supérieur ou égal à 2 pouces, jusqu'à ce que l'épaisseur du substrat piézoélectrique soit inférieure ou égale à 20 μm; (b) l'exécution d'un traitement par faisceau d'ions de manière qu'une partie périphérique extérieure du substrat piézoélectrique devienne plus épaisse qu'une partie périphérique intérieure, et que la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de l'épaisseur de la partie périphérique intérieure du substrat piézoélectrique soit inférieure ou égale à 100 nm sur toute la surface; (c) l'exécution d'un polissage mécano-chimique (CMP) à l'aide d'un tampon de polissage présentant un diamètre supérieur ou égal à 5 mm et inférieur ou égal à 30 mm, le tampon de polissage étant déplacé et mis en rotation tout en maintenant une force de pression constante du tampon de polissage, de manière à éliminer au moins une partie d'une couche altérée produite par le traitement par faisceau d'ions, ce qui permet de rendre plate toute la surface du substrat piézoélectrique. 本発明の複合基板の製造方法は、（ａ）圧電基板と支持基板とを接合した直径２インチ以上の貼り合わせ基板の圧電基板側を、前記圧電基板の厚みが２０μｍ以下になるまで鏡面研磨する工程と、（ｂ）前記圧電基板の外周部の厚みが内周部よりも厚くかつ前記圧電基板の内周部の厚みの最大値と最小値の差が全平面で１００ｎｍ以下となるようにイオンビーム加工する工程と、（ｃ）直径５ｍｍ以上３０ｍｍ以下の研磨パッドを用い、前記研磨パッドによる押圧力を一定に保ちながら前記研磨パッドを回転させるとともに移動させてＣＭＰ研磨を行い、前記イオンビーム加工によって生じた変質層の少なくとも一部を除去し、前記圧電基板の全面を平らにする工程と、を含む。