EUV LITHOGRAPHY SYSTEM

• Main Authors: EHM, Dirk Heinrich, AMENT, Irene, SHKLOVER, Vitaliy
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 16.02.2017
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Die Erfindung betrifft ein EUV-Lithographiesystem (1), umfassend: eine EUV- Lichtquelle (5) zur Erzeugung von EUV-Strahlung (7), die das EUV- Lithographiesystem (1 ) entlang eines EUV-Strahlengangs (6) durchläuft, mindestens ein optisches Element (8, 9, 10, 11, 13, 14), dessen optische Oberfläche (8a, 9a, 10a, 11 a, 13a, 14a) in dem EUV-Strahlengang (6) angeordnet ist, mindestens eine elektrisch leitende Struktur (17a-c), die den EUV-Strahlengang (6) in mindestens einem Abschnitt (6a-c) ringförmig umgibt und/oder die eine Gitterstruktur (17a-c) bildet, die mehrere an Knoten miteinander verbundene elektrische Leiter aufweist, sowie mindestens eine Spannungsquelle (18a-c) zum Erzeugen einer elektrischen Ladung (-) der mindestens einen elektrisch leitenden Struktur (17a-c) zum Ablenken von elektrisch geladenen kontaminierenden Partikeln (P) aus dem EUV- Strahlengang (6). The invention relates to an EUV lithography system (1), comprising: an EUV light source (5) for producing EUV radiation (7), which passes through the EUV lithography system (1) along an EUV beam path (6), at least one optical element (8, 9, 10, 11, 13, 14), the optical surface (8a, 9a, 10a, 11a, 13a, 14a) of which is arranged in the EUV beam path (6), at least one electrically conductive structure (17a-c), which annularly surrounds the EUV beam path (6) in at least one segment (6a-c) and/or which forms a grid structure (17a-c), which has a plurality of electrical conductors connected to each other at nodes, and at least one voltage source (18a-c) for producing an electrical charge (-) of the at least one electrically conductive structure (17a-c) in order to deflect electrically charged contaminating particles (P) out of the EUV beam path (6). L'invention concerne un système de lithographie EUV (1), comprenant : une source lumineuse EUV (5) pour générer un rayonnement EUV (7), lequel passe à travers le système de lithographie EUV (1) le long d'un trajet de faisceau EUV (6), au moins un élément optique (8, 9, 10, 11, 13, 14), dont la surface optique (8a, 9a, 10a, 11 a, 13a, 14a) est disposée dans le trajet de faisceau EUV (6), au moins une structure électriquement conductrice (17a-c), qui entoure de manière annulaire le trajet de faisceau EUV (6) dans au moins une partie (6a-c) et/ou qui forme une structure de grille (17a-c) qui comporte plusieurs conducteurs électriques reliés les uns aux autres sur des nœuds, ainsi qu'au moins une source de tension (18a-c) pour générer une charge électrique (-) d'au moins une structure électriquement conductrice (17a-c) afin de faire dévier du trajet de faisceau EUV (6) les particules contaminantes chargées électriquement (P).