SEMICONDUCTOR WAFER SURFACE PROTECTION FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SUKEGAWA, Makoto, KAWASAKI, Noboru, MORIMOTO, Akimitsu, KAMADA, Jun, IGARASHI, Kouji, KINOSHITA, Jin, USUGI, Shinichi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.01.2017
• Subjects: ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; LAYERED PRODUCTS; LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT ORNON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; PAINTS; PERFORMING OPERATIONS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES

The purpose of the present invention is to provide a semiconductor wafer surface protection film that can be affixed so as to conform satisfactorily with irregularities on the circuit formation surface of a semiconductor wafer and inhibit cracking in the wafer and creation of adhesive residues during peeling even in a high-temperature step. This semiconductor wafer surface protection film has a substrate layer A, an adhesive absorption layer B, and adhesive surface layer C, in the stated order. The adhesive absorption layer B comprises an adhesive composition containing a thermoset resin b1, said adhesive absorption layer B having a minimum value G'bmin of the storage elastic modulus G'b in the range of 25˚C to less than 250˚C of 0.001 MPa to less than 0.1 MPa, a storage elastic modulus G'b250 at 250°C of 0.005 MPa or above, and a temperature at which G'bmin is exhibited of 50‒150˚C. The adhesive surface layer C has a minimum value G'cmin of the storage elastic modulus G'c in the range of 25°C to less than 250°C of 0.03 MPa. L'objet de la présente invention est de fournir un film de protection de surface de tranche de semi-conducteur qui peut être fixé afin de se conformer de manière satisfaisante avec des irrégularités sur la surface de formation de circuit d'une tranche de semi-conducteur et d'inhiber la fissuration dans la tranche et la création de résidus adhésifs lors du décollement, même dans une étape à haute température. Ce film de protection de surface de tranche de semi-conducteur a une couche de substrat A, une couche d'absorption adhésive B, et une couche de surface adhésive C, dans l'ordre indiqué. La couche d'absorption adhésive B comprend une composition adhésive contenant une résine thermodurcissable b1, ladite couche d'absorption adhésive B ayant une valeur minimale G'bmin du module élastique de stockage G'b dans la plage de 25 °C à moins de 250 °C de 0,001 MPa à moins de 0,1 MPa, un module élastique de stockage G'b250 à 250 °C de 0,005 MPa ou au-dessus, et une température à laquelle la valeur G'bmin est présentée de 50 à 150 °C. La couche de surface adhésive C a une valeur minimale G'cmin du module élastique de stockage G'c dans la plage de 25 °C à moins de 250 °C de 0,03 MPa. 本発明の目的は、半導体ウエハの回路形成面の凹凸に良好に追従させて貼り付けることができ、かつ高温工程を経た場合においても剥離時のウエハの割れや糊残りを抑制しうる半導体ウエハ表面保護フィルムを提供することである。本発明の半導体ウエハ表面保護フィルムは、基材層Ａと、粘着性吸収層Ｂと、粘着性表層Ｃとをこの順に有し、粘着性吸収層Ｂは、熱硬化性樹脂ｂ１を含む粘着剤組成物からなり、粘着性吸収層Ｂの２５℃以上２５０℃未満の範囲における貯蔵弾性率Ｇ'ｂの最小値Ｇ'ｂｍｉｎが０．００１ＭＰａ以上０．１ＭＰａ未満であり、２５０℃における貯蔵弾性率Ｇ'ｂ２５０が０．００５ＭＰａ以上であり、かつＧ'ｂｍｉｎを示す温度が５０℃以上１５０℃以下であり、粘着性表層Ｃの、２５℃以上２５０℃未満の範囲における貯蔵弾性率Ｇ'ｃの最小値Ｇ'ｃｍｉｎが０．０３ＭＰａ以上である。