SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

• Main Authors: IHORI, Atsuhito, IWATA, Kenji, MATSUMOTO, Masahiro, TANI, Noriaki, SATO, Yoshinao, IWAI, Harunori, FUJINAGA, Tetsushi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.01.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Provided is a substrate processing device comprising an anode unit (17) that includes a first plate (23) and a second plate (24). The first plate (23) includes a plurality of first through-holes (23a), and by causing a gas to flow through the first through-holes, causes the gas to diffuse in the direction of the surface of the first plate (23). The second plate (24) includes a plurality of second through-holes (24a) that are larger than the first through-holes (23a). The second plate (24) causes the gas that has passed through the first through-holes (23a) to flow between the second plate (24) and a cathode stage through the plurality of second through-holes (24a). The second through-holes (24a) have a shape such that the emission intensity of plasma inside each second through-hole can be made higher than the emission intensity of plasma generated between the second plate (24) and the cathode stage. L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant une unité d'anode (17) qui comprend une première plaque (23) et une deuxième plaque (24). La première plaque (23) comprend une pluralité de premiers trous traversants (23a), et en amenant un gaz à s'écouler à travers les premiers trous traversants, amène le gaz à diffuser dans la direction de la surface de la première plaque (23). La deuxième plaque (24) comprend une pluralité de deuxièmes trous traversants (24a) qui sont plus grands que les premiers trous traversants (23a). La deuxième plaque (24) amène le gaz qui a traversé les premiers trous traversants (23a) à s'écouler entre la deuxième plaque (24) et un étage de cathode à travers la pluralité de deuxièmes trous traversants (24a). Les deuxièmes trous traversants (24a) ont une forme telle que l'intensité d'émission de plasma à l'intérieur de chaque deuxième trou traversant puisse être rendue supérieure à l'intensité d'émission de plasma générée entre la deuxième plaque (24) et l'étage de cathode. 基板処理装置は、第１プレート（２３）と第２プレート（２４）とを含むアノードユニット（１７）を備える。第１プレート（２３）は複数の第１貫通孔（２３ａ）を含み、第１貫通孔を通じてガスを流すことによって、ガスを第１プレート（２３）の面方向へ拡散させる。第２プレート（２４）は、第１貫通孔（２３ａ）よりも大きい複数の第２貫通孔（２４ａ）を含む。第２プレート（２４）は、第１貫通孔（２３ａ）を通過したガスを、複数の第２貫通孔（２４ａ）を通じて第２プレート（２４）とカソードステージとの間に流す。第２貫通孔（２４ａ）は、各第２貫通孔の内部におけるプラズマの発光強度が、第２プレート（２４）とカソードステージとの間に生成されるプラズマの発光強度よりも高められる形状を有している。