SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: USAMI Kimiyoshi, KUDO Masaru
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.12.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

The present invention relates to a semiconductor device allowing energy consumption due to writing of data into a non-volatile storage unit to be minimized. A writing control circuit 34 stores the same data as the data stored in MTJ elements MTJ1, MTJ2. When storing the data held by a slave latch 32 in the MTJ elements MTJ1, MTJ2, the writing control circuit 34 performs control so as to determine whether or not to write the data held by the slave latch 32 to the MTJ elements MTJ1, MTJ2 by comparing the data stored therein with the data held by the slave latch 32. When the data stored therein matches with the data held by the slave latch 32, the writing control circuit 34 performs control so as to determine not to write the data into the MTJ elements MTJ1, MTJ2. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui permet de réduire au minimum la consommation d'énergie due à l'écriture de données dans une unité de stockage non volatile. Un circuit de commande d'écriture (34) mémorise les mêmes données que les données stockées dans des éléments MTJ (MTJ1, MTJ2). Lors de la mémorisation des données maintenues par un verrou esclave (32) dans les éléments MTJ (MTJ1, MTJ2), le circuit de commande d'écriture (34) effectue une commande de façon à déterminer s'il faut ou non écrire les données maintenues par le verrou esclave (32) sur les éléments MTJ (MTJ1, MTJ2) par comparaison des données mémorisées en leur sein aux données maintenues par le verrou esclave (32). Lorsque les données mémorisées à l'intérieur de ceux-ci correspondent aux données maintenues par le verrou esclave (32), le circuit de commande d'écriture (34) effectue une commande de façon à déterminer qu'il ne faut pas écrire les données dans les éléments MTJ (MTJ1, MTJ2). 本発明は、不揮発性記憶部にデータを書き込むことによる消費エネルギーを削減することができるようにする半導体装置に関する。 書込制御回路３４は、ＭＴＪ素子ＭＴＪ１、ＭＴＪ２が記憶するデータと同一のデータを記憶する。書込制御回路３４は、スレーブラッチ３２に保持されているデータをＭＴＪ素子ＭＴＪ１、ＭＴＪ２に記憶させるストア時に、内部に記憶されているデータとスレーブラッチ３２が保持するデータとを比較して、ＭＴＪ素子ＭＴＪ１、ＭＴＪ２への書込みを行うか否かを制御する。書込制御回路３４は、内部に記憶されているデータと、スレーブラッチ３２が保持するデータとが一致する場合は、ＭＴＪ素子ＭＴＪ１、ＭＴＪ２にデータの書き込ませない制御を行う。