METAL OXIDE FILM FORMATION METHOD

• Main Authors: ORITA Hiroyuki, HIRAMATSU Takahiro, KAWAHARAMURA Toshiyuki, FUJITA Shizuo, UCHIDA Takayuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.12.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The purpose of the present invention is to obtain a metal oxide film formation method which makes it possible to produce a high-quality metal oxide film while increasing production efficiency. The film formation method according to the present invention involves: obtaining a starting material solution mist (M1) by misting a starting material solution (14) that contains aluminum, a metal element, inside a solution vessel (15); obtaining an aid agent mist (M2) by misting a reaction aid solution (24), which contains a reaction aid agent for use in forming aluminum oxide, inside a solution vessel (25) that is independent from the solution vessel (15); supplying the starting material solution mist (M1) and the aid agent mist (M2) to a nozzle (12) provided inside a reaction vessel (11) via channels (L1), (L2); and thereafter, obtaining a mixture mist (M3) by mixing the starting material solution mist (M1) and the aid agent mist (M2) inside the nozzle (12), and supplying the mixture mist (M3) onto the rear surface of a heated P-type silicon substrate (4). La présente invention a pour objet un procédé de formation d'un film d'oxyde métallique permettant de produire un film d'oxyde métallique de grande qualité tout en améliorant l'efficacité de production. Le procédé de formation de film d'après la présente invention comprend les étapes consistant à : obtenir un brouillard de solution de matière première (M1) en brumisant dans un récipient de solution (15) une solution de matière première (14) qui contient de l'aluminium, autrement dit un élément métallique ; obtenir un brouillard d'agent d'aide (M2) en brumisant dans un récipient de solution (25) indépendant du récipient de solution (15) une solution d'aide à la réaction (24) qui contient un agent d'aide à la réaction destiné à servir pour la formation d'oxyde d'aluminium ; délivrer le brouillard de solution de matière première (M1) et le brouillard d'agent d'aide (M2) à une buse (12) située dans un récipient de réaction (11) par l'intermédiaire de canaux (L1), (L2) ; puis obtenir un brouillard de mélange (M3) en mélangeant le brouillard de solution de matière première (M1) et le brouillard d'agent d'aide (M2) dans la buse (12) et délivrer le brouillard de mélange (M3) sur la surface arrière d'un substrat de silicium de type P chauffé (4). 本発明は、生産効率を高めながら、高品質な金属酸化膜を得る金属酸化膜の成膜方法を得ることを目的とする。そして、本発明の成膜方法は以下の処理を実行する。溶液容器（１５）内において、金属元素であるアルミニウムを含む原料溶液（１４）をミスト化させて原料溶液ミスト（Ｍ１）を得る。溶液容器（１５）とは独立した溶液容器（２５）内において、酸化アルミニウム形成用の反応支援剤を含む反応支援溶液（２４）をミスト化させて支援剤ミスト（Ｍ２）を得る。そして、経路（Ｌ１）及び（Ｌ２）を介して反応容器（１１）内に設けられたノズル（１２）に原料溶液ミスト（Ｍ１）及び支援剤ミスト（Ｍ２）を供給する。その後、ノズル（１２）内で原料溶液ミスト（Ｍ１）と支援剤ミスト（Ｍ２）とを混合して混合ミスト（Ｍ３）を得て、加熱状態にあるＰ型シリコン基板（４）の裏面上に混合ミスト（Ｍ３）を供給する。