PHOTOVOLTAIC CELL STRUCTURE AND METHOD TO PRODUCE THE SAME

• Main Authors: WITKOWSKI, Bartłomiej, WACHNICKI, Łukasz, GODLEWSKI, Marek, PIETRUSZKA, Rafał, GIERAŁTOWSKA, Sylwia
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 17.11.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The object of the present invention is a photovoltaic cell structure, comprising a p-type semiconductor substrate with a bottom electric contact, upon which a layer comprising ZnO nanostructures is made, covered with a Zn Mg O layer and with a transparent conductive layer, preferably ZnO:Al layer, with an electric contact, characterized in that the active layer is a Si/ZnO/ZnMgO junction, the layer of ZnO nanostructures of the height of 100 nm up to 2000 nm being covered with the ZnMgO layer from 1 nm to 2000 nm thick, and the method to produce the same. L'objet de la présente invention est une structure de cellule photovoltaïque, comprenant un substrat semi-conducteur de type p ayant un contact électrique inférieur, sur lequel est constituée une couche comprenant des nanostructures de ZnO, recouverte d'une couche de Zn Mg O et ayant une couche conductrice transparente, de préférence une couche de ZnO:Al, ayant un contact électrique, caractérisée en ce que la couche active est une jonction Si/ZnO/ZnMgO, la couche de nanostructures de ZnO d'une hauteur comprise entre 100 nm et 2 000 nm étant recouverte par la couche de ZnMgO d'une épaisseur comprise entre 1 nm et 2 000 nm, et son procédé de production.