SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: YASUDA, Masaharu, GOTOU, Kouji, MURAI, Akihiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.11.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention addresses the problem of providing a semiconductor light emitting element whereby reliability can be improved, and a method for manufacturing the semiconductor light emitting element. An n-type nitride semiconductor layer (3) has at least an n-type AlGaN layer (31). A passivation film (11) is a silicon nitride film containing hydrogen. A first peeling prevention layer (12a) and a second peeling prevention layer (12b) are provided between the passivation film (11) and an end portion of a surface (8a) of a positive electrode (8), and between an end portion of a surface (9a) of a negative electrode (9), respectively. Each of the first peeling prevention layer (12a) and the second peeling prevention layer (12b) is provided with a lower layer (121) and an upper layer (122) formed on the lower layer (121). The lower layer (121) is formed of one kind of material selected from the group consisting of Ti, Zr, Si, Al, Ni, and Sn. The upper layer (122) is formed of an oxide of the material of the lower layer (121). La présente invention aborde le problème consistant à fournir un élément d'émission de lumière semi-conducteur grâce à quoi la fiabilité peut être améliorée, et un procédé de fabrication de l'élément d'émission de lumière semi-conducteur. Une couche de semi-conducteur au nitrure de type n (3) a au moins une couche d'AlGaN de type n (31). Un film de passivation (11) est un film de nitrure de silicium contenant de l'hydrogène. Une première couche de prévention de décollement (12a) et une seconde couche de prévention de décollement (12b) sont prévues entre le film de passivation (11) et une partie extrémité d'une surface (8a) d'une électrode positive (8), et entre une partie extrémité d'une surface (9a) d'une électrode négative (9), respectivement. Chacune de la première couche de prévention de décollement (12a) et de la seconde couche de prévention de décollement (12b) comporte une couche inférieure (121) et une couche supérieure (122) formée sur la couche inférieure (121). La couche inférieure (121) est formée d'un type de matière choisie parmi le groupe constitué de Ti, Zr, Si, Al, Ni, et Sn. La couche supérieure (122) est formée d'un oxyde de la matière de la couche inférieure (121). 本発明の課題は、信頼性の向上を図ることが可能な半導体発光素子及びその製造方法を提供することである。ｎ型窒化物半導体層（３）は、少なくともｎ型ＡｌＧａＮ層（３１）を有する。パッシベーション膜（１１）は、水素を含有した窒化ケイ素膜である。第１剥離防止層（１２ａ）及び第２剥離防止層（１２ｂ）は、パッシベーション膜（１１）と正電極（８）の表面（８ａ）の端部及び負電極（９）の表面（９ａ）の端部との間にそれぞれ介在する。第１剥離防止層（１２ａ）及び第２剥離防止層（１２ｂ）の各々は、下層（１２１）と、下層（１２１）上に形成された上層（１２２）と、を備える。下層（１２１）は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｉ及びＳｎの群から選択される１種の材料により形成されている。上層（１２２）は、下層（１２１）の材料の酸化物により形成されている。