SIC SINGLE CRYSTAL SEED, SIC INGOT, SIC SINGLE CRYSTAL SEED PRODUCTION METHOD, AND SIC SINGLE CRYSTAL INGOT PRODUCTION METHOD

• Main Authors: SHONAI Tomohiro, GUNJISHIMA Itaru, FURUYA Yuuki, URAKAMI Yasushi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.10.2016
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

This SiC single crystal seed includes: a main surface having an offset angle of 2-20º with respect to the {0001} surface; and at least one sub growth surface. The sub growth surface includes an initial facet forming surface which is on the offset upstream side from the main surface, and for which the inclination angle θ with respect to the {0001} surface is, by absolute value, less than 2º in any direction. The initial facet forming surface includes a screw dislocation generation point of origin. L'invention concerne un germe de monocristal de SiC comprenant : une surface principale ayant un angle de décalage de 2 à 20° par rapport à la surface {1}; et au moins une sous surface de croissance. La sous surface de croissance comprend une surface de formation de facette initiale qui est sur le côté amont de décalage par rapport à la surface principale, et pour laquelle l'angle d'inclinaison θ par rapport à la surface {1} est, en valeur absolue, inférieur à 2º dans une direction quelconque. La surface de formation de facette initiale comprend un point d'origine de génération de dislocation vis. 本発明のＳｉＣ単結晶シードは、｛０００１｝面に対し２°以上２０°以下のオフセット角を有する主面と、１つ以上の副成長面と、を有し、前記副成長面は、前記主面よりオフセット上流側にありかつ｛０００１｝面に対する傾斜角θが何れの方向にも絶対値で２°未満である初期ファセット形成面を含み、初期ファセット形成面が、螺旋転位発生起点を有する。