SEMICONDUCTOR LAMINATE, LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LAMINATE

• Main Authors: ARIKATA, Suguru, KYONO, Takashi, AKITA, Katsushi, YOSHIZUMI, Yusuke, FUYUKI, Takuma
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.10.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor laminate comprising: a first-conductivity-type layer made from a group III-V compound semiconductor, the conductivity type of which is a first conductivity type; a quantum-well light-receiving layer made from a group III-V compound semiconductor; and a second-conductivity-type layer made from a group III-V compound semiconductor, the conductivity type of which is a second conductivity type that is different from the first conductivity type. The first-conductivity-type layer, the quantum-well light-receiving layer and the second-conductive-type layer are laminated in that order. The thickness of the quantum-well light-receiving layer is 0.5 μm or more. The carrier concentration in the quantum-well light-receiving layer is 1×1016 cm-3 or less. L'invention concerne un stratifié semi-conducteur comprenant : une couche de premier type de conductivité constituée d'un composé semi-conducteur des groupes III à V, dont le type de conductivité est un premier type de conductivité ; une couche de réception de lumière à puits quantiques constituée d'un composé semi-conducteur des groupes III à V ; et une couche de second type de conductivité constituée d'un composé semi-conducteur des groupes III à V, dont le type de conductivité est un second type de conductivité qui est différent du premier type de conductivité. La couche de premier type de conductivité, la couche de réception de lumière à puits quantiques et la couche de second type de conductivité sont stratifiées dans cet ordre. L'épaisseur de la couche de réception de lumière à puits quantiques est supérieure ou égale à 0,5 µm. La concentration en porteurs de la couche de réception de lumière à puits quantiques est inférieure ou égale à 1×1016 cm-3. ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなり、導電型が第１導電型である第１導電型層と、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなる量子井戸受光層と、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなり、導電型が第１導電型とは異なる第２導電型である第２導電型層と、を備える半導体積層体である。第１導電型層、量子井戸受光層および第２導電型層は、この順に積層される。量子井戸受光層の厚みは０．５μｍ以上である。量子井戸受光層において、キャリア濃度は１×１０１６ｃｍ－３以下である。