FILM-FORMING METHOD

• Main Authors: KAMIKAWA Takeshi, HARADA Masatomi, ZOU Liumin, KUNIYOSHI Tokuaki, SAKAI Toshihiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.10.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

This film-forming method for forming a thin film on a substrate has an adhering step, an external force removing step, and a film-forming step. In the adhering step (step B), an adhering member 31 is placed such that the adhering member is in contact with one surface of a substrate 30, and in a state wherein an external force is applied in the direction in which the substrate 30 and the adhering member 31 overlap each other, the substrate 30 and the adhering member 31 are placed under vacuum. In the external force removing step (step C), an external force is removed under atmospheric pressure or vacuum. In the film-forming step (step E), the thin film is formed on one surface or the other surface of the substrate 30. Le procédé de formation de film d'après la présente invention permet de former un film fin sur un substrat et il comprend une étape d'adhérence, une étape d'élimination d'une force externe et une étape de formation de film. Au cours de l'étape d'adhérence (étape B), un élément d'adhérence (31) est placé de manière à être en contact avec une surface d'un substrat (30) et à être dans un état dans lequel une force externe est appliquée dans la direction dans laquelle le substrat (30) et l'élément d'adhérence (31) se chevauchent, le substrat (30) et l'élément d'adhérence (31) étant placés sous vide. Au cours de l'étape d'élimination d'une force externe (étape C), une force externe est éliminée sous une pression atmosphérique ou sous vide. Au cours de l'étape de formation de film (étape E), le film fin est formé sur l'une ou l'autre surface du substrat (30). 基板に薄膜を形成する成膜方法は、密着工程と外力除去工程と成膜工程とを有する。密着工程（工程Ｂ）は、基板３０の一方の面に接触するように密着用部材３１を重ね、基板３０と密着用部材３１とが重なり合う方向に外力を加えた状態で、基板３０と密着用部材３１とを真空下に置く。外力除去工程（工程Ｃ）は、大気圧下又は真空下において外力を除去する。成膜工程（工程Ｅ）は、基板３０の一方の面又は他方の面の上に薄膜を形成する。