SWITCHING ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: SUGIBAYASHI, Tadahiko, TADA, Munehiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.10.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In the cases of performing programming by forming a two-terminal-type variable resistance element on a semiconductor device, it has been difficult to control the programming, and malfunctions have often occurred. This switching element includes at least a first variable resistance element, a second variable resistance element, a first rectifying element, and a second rectifying element, one end of the first variable resistance element and one end of the second variable resistance element are respectively connected to one end of the first rectifying element and one end of the second rectifying element, and each of the rectifying elements has two terminals. Le problème à résoudre par la présente invention concerne, dans les cas de réalisation d'une programmation par la formation d'un élément de résistance variable du type à deux bornes sur un dispositif à semi-conducteurs, la difficulté de contrôler la programmation et l'occurrence répétée de dysfonctionnements. L'élément de commutation de l'invention comprend au moins un premier élément à résistance variable, un second élément à résistance variable, un premier élément redresseur et un second élément redresseur, une extrémité du premier élément à résistance variable et une extrémité du second élément à résistance variable sont respectivement connectées à une extrémité du premier élément redresseur et à une extrémité du second élément redresseur et chacun des éléments redresseur possède deux bornes. 　２端子型抵抗変化素子を半導体装置上に形成してプログラミングする場合、プログラミングの制御が難しく、誤動作を生じ易い。本発明に係るスイッチング素子は、少なくとも第一抵抗変化素子と第二抵抗変化素子と第一整流素子と第二整流素子とを含み、前記第一抵抗変化素子及び前記第二抵抗変化素子の一端と前記第一整流素子及び前記第二整流素子の一端とが接続されており、前記整流素子は二端子である。