NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

The present invention is provided with: a substrate (120); a nitride semiconductor laminated body (101), which is disposed on the substrate (120), and which has a channel region; a first electrode (107) and a second electrode (108), which are disposed on the nitride semiconductor laminated body (101...

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Main Authors TAMURA, Satoshi, UMEDA, Hidekazu, KINOSHITA, Yusuke
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 06.10.2016
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Summary:The present invention is provided with: a substrate (120); a nitride semiconductor laminated body (101), which is disposed on the substrate (120), and which has a channel region; a first electrode (107) and a second electrode (108), which are disposed on the nitride semiconductor laminated body (101); a first p-type nitride semiconductor layer (105) that is disposed between the first electrode (107) and the second electrode (108); and a first gate electrode (106) that is disposed on the first p-type nitride semiconductor layer (105). The nitride semiconductor laminated body (101) has a first recessed section (111), and at least a part of the first p-type nitride semiconductor layer (105) is disposed on the inner side of the first recessed section (111), and is separated from a first recessed section side surface (111a). La présente invention comprend : un substrat (120) ; un corps stratifié de semi-conducteur au nitrure (101) qui est disposé sur le substrat (120) et qui comporte une zone de canal ; une première électrode (107) et une seconde électrode (108) qui sont disposées sur le corps stratifié de semi-conducteur au nitrure (101) ; une première couche de semi-conducteur au nitrure du type p (105) qui est disposée entre la première électrode (107) et la seconde électrode (108) ; et une première électrode de grille (106) qui est disposée sur la première couche de semi-conducteur au nitrure du type p (105). Le corps stratifié de semi-conducteur au nitrure (101) comporte une première section évidée (111), et au moins une partie de la première couche de semi-conducteur au nitrure du type p (105) est disposée sur le côté interne de la première section évidée (111) et est séparée d'une surface latérale (111a) de la première section évidée.  基板(120)と、基板(120)の上に配置され、チャネル領域を有する窒化物半導体積層体(101)と、窒化物半導体積層体(101)の上に配置された第1の電極(107)及び第2の電極(108)と、第1の電極(107)と第2の電極(108)との間に配置された第1のp型窒化物半導体層(105)と、第1のp型窒化物半導体層(105)の上に配置された第1のゲート電極(106)とを備え、窒化物半導体積層体(101)は、第1の凹部(111)を有し、第1のp型窒化物半導体層(105)の少なくとも一部は、第1の凹部(111)の内側に配置され、第1の凹部側面(111a)と離間している。
Bibliography:Application Number: WO2016JP01121