NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: TAMURA, Satoshi, UMEDA, Hidekazu, KINOSHITA, Yusuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.10.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention is provided with: a substrate (120); a nitride semiconductor laminated body (101), which is disposed on the substrate (120), and which has a channel region; a first electrode (107) and a second electrode (108), which are disposed on the nitride semiconductor laminated body (101); a first p-type nitride semiconductor layer (105) that is disposed between the first electrode (107) and the second electrode (108); and a first gate electrode (106) that is disposed on the first p-type nitride semiconductor layer (105). The nitride semiconductor laminated body (101) has a first recessed section (111), and at least a part of the first p-type nitride semiconductor layer (105) is disposed on the inner side of the first recessed section (111), and is separated from a first recessed section side surface (111a). La présente invention comprend : un substrat (120) ; un corps stratifié de semi-conducteur au nitrure (101) qui est disposé sur le substrat (120) et qui comporte une zone de canal ; une première électrode (107) et une seconde électrode (108) qui sont disposées sur le corps stratifié de semi-conducteur au nitrure (101) ; une première couche de semi-conducteur au nitrure du type p (105) qui est disposée entre la première électrode (107) et la seconde électrode (108) ; et une première électrode de grille (106) qui est disposée sur la première couche de semi-conducteur au nitrure du type p (105). Le corps stratifié de semi-conducteur au nitrure (101) comporte une première section évidée (111), et au moins une partie de la première couche de semi-conducteur au nitrure du type p (105) est disposée sur le côté interne de la première section évidée (111) et est séparée d'une surface latérale (111a) de la première section évidée. 　基板（１２０）と、基板（１２０）の上に配置され、チャネル領域を有する窒化物半導体積層体（１０１）と、窒化物半導体積層体（１０１）の上に配置された第１の電極（１０７）及び第２の電極（１０８）と、第１の電極（１０７）と第２の電極（１０８）との間に配置された第１のｐ型窒化物半導体層（１０５）と、第１のｐ型窒化物半導体層（１０５）の上に配置された第１のゲート電極（１０６）とを備え、窒化物半導体積層体（１０１）は、第１の凹部（１１１）を有し、第１のｐ型窒化物半導体層（１０５）の少なくとも一部は、第１の凹部（１１１）の内側に配置され、第１の凹部側面（１１１ａ）と離間している。