ELECTRON BEAM-TYPE PATTERN INSPECTING DEVICE

• Main Authors: YAMAMOTO Takuma, SHISHIDO Chie, TANAKA Maki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.09.2016
• Subjects: INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; TESTING

Pattern inspection employing an electron beam-type pattern inspecting device (100) according to the present invention comprises: radiating and scanning a convergent electron beam (102) onto a sample (200) on which a pattern has been formed; simultaneously detecting, using separate detectors, backscattered electrons (110) having a relatively high energy and secondary electrons (114) having a relatively low energy, the backscattered electrons and secondary electrons originating from the sample onto which the convergent electron beam has been radiated and scanned; generating a backscattered electron image (BSE image) and a secondary electron image (SE image); and employing the characteristic that defects are manifested only in the backscattered electron image (BSE image) to detect defects, by comparing the backscattered electron image (BSE image) and the secondary electron image (SE image). According to the present invention, defects in deep holes or deep grooves having an aspect ratio of 20 or more can be made manifest, and high precision inspection can be performed without the inspection being affected by edge roughness. Cette invention concerne un procédé d'inspection de motifs utilisant un dispositif d'inspection de motifs de type à faisceau d'électrons (100) selon l'invention comprenant : l'exposition en mode balayage d'un échantillon (200) sur lequel un motif a été formé à un faisceau d'électrons convergent (102) ; la détection simultanée, à l'aide de détecteurs séparés, d'électrons rétrodiffusés (110) ayant un niveau d'énergie relativement élevé et d'électrons secondaires (114) ayant un niveau d'énergie relativement faible, les électrons rétrodiffusés et les électrons secondaires provenant de l'échantillon qui a été exposé en mode balayage au faisceau d'électrons convergent ; la génération d'une image en électrons rétrodiffusés (image BSE) et d'une image en électrons secondaires (image SE) ; et l'utilisation de la caractéristique selon laquelle les défauts ne se manifestent que dans l'image en électrons rétrodiffusés (image BSE) pour détecter les défauts, par comparaison de l'image en électrons rétrodiffusés (image BSE) et de l'image en électrons secondaires (image SE). Selon la présente invention, les défauts dans des trous profonds ou des rainures profondes ayant un rapport d'aspect de 20 ou plus peuvent être mis en évidence, et une inspection à une précision élevée peut être effectuée sans que l'inspection ne soit affectée par la rugosité des bords. 　本発明の電子線式パターン検査装置（１００）を用いたパターン検査は、収束させた電子ビーム（１０２）をパターンが形成された試料（２００）に照射して走査し、収束させた電子ビームが照射されて走査された試料から発生した比較的エネルギが高い反射電子（１１０）と比較的エネルギが低い二次電子（１１４）を別々の検出器で同時に検出して、反射電子像（BSE 像）と二次電子像（SE 像）を生成し、反射電子像（BSE 像）にのみ欠陥が顕在化する特性を利用して、反射電子像（BSE 像）と二次電子像（SE 像）の比較により欠陥を検出する。　本発明によると、アスペクト比が２０以上の深穴、深溝内の欠陥を顕在化させて、かつ、エッジラフネスの影響を受けずに高精度な検査を行うことを可能にする。