GaN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL

• Main Authors: FUJISAWA, HIDEO, KAWABATA, SHINICHIRO, MIKAWA, YUTAKA, NAMITA, HIDEO, MOCHIZUKI, TAE
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 11.08.2016
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A new GaN single crystal is provided. A GaN single crystal according to the present invention is provided with a gallium polar plane, which is one principal surface, and a nitrogen polar plane, which is a counter principal surface, wherein at least one square area is found in the gallium polar plane. The square area has four sides constituting the outer perimeter thereof, the four sides each having a length of 2 mm or more. When the first square area is divided into a plurality of sub-areas, each of which is a square of 100 μm by 100 μm, pit-free areas account for 90% or more of the plurality of sub-areas. Cette invention concerne un nouveau monocristal de GaN. Le monocristal de GaN selon l'invention comprend un plan polaire à base de gallium, qui est une surface principale, et un plan polaire à base d'atomes d'azote, qui est une contre-surface principale, caractérisé en ce qu'au moins une zone carrée se trouve dans le plan polaire à base de gallium. La zone carrée a quatre côtés constituant son périmètre extérieur, les quatre côtés ayant chacun une longueur de 2 mm ou plus. Quand la première zone carrée est divisée en une pluralité de sous-zones, chacune étant un carré de 100 µm sur 100 μm, les zones sans creux représentent 90 % ou plus de la pluralité de sous-zones. 　新規なＧａＮ単結晶を提供する。ＧａＮ単結晶は、一方側の主表面であるガリウム極性面と反対側の主表面である窒素極性面とを備え、そのガリウム極性面には、少なくともひとつの正方形領域が見出される。該正方形領域は、その外周を構成する４辺の各々の長さが２ｍｍ以上であり、該第一正方形領域を各々が１００μｍ×１００μｍの正方形である複数のサブ領域に分割したとき、該複数のサブ領域の９０％以上がピットフリー領域である。