PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT

• Main Author: NAKA KEISUKE
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 11.08.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE; ELECTRICITY

Disclosed is a photoelectric conversion element provided with at least one photoelectric conversion cell. The photoelectric conversion cell is provided with an electrode substrate, a counter substrate facing the electrode substrate, an oxide semiconductor layer provided on the electrode substrate, an electrolyte provided between the electrode substrate and the counter substrate, and an annular sealing part for joining the electrode substrate and the counter substrate. The oxide semiconductor layer has: a body part provided on the electrode substrate and on the inside of the sealing part so as to extend in a straight line from the electrode substrate towards the counter substrate; and a protruding part protruding from the body part towards the sealing part, the protruding part not being in contact with the electrode substrate. In a cross-section along the thickness direction of the oxide semiconductor layer, a second face of the oxide semiconductor layer, which is on the counter substrate side, has a greater width than a first face, which is the boundary face between the oxide semiconductor layer and the electrode substrate. L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui comporte au moins une cellule de conversion photoélectrique. La cellule de conversion photoélectrique est pourvue d'un substrat d'électrode, d'un contre-substrat faisant face au substrat d'électrode, d'une couche d'oxyde semi-conducteur disposée sur le substrat d'électrode, d'un électrolyte disposé entre le substrat d'électrode et le contre-substrat, et d'une partie d'étanchéité annulaire pour relier le substrat d'électrode et le contre-substrat. La couche d'oxyde semi-conducteur comprend : une partie corps située sur le substrat d'électrode et sur l'intérieur de la partie d'étanchéité de manière à s'étendre en ligne droite du substrat d'électrode vers le contre-substrat; et une partie saillante faisant saillie de la partie corps vers la partie d'étanchéité, la partie saillante n'étant pas en contact avec le substrat d'électrode. Dans une section transversale selon la direction de l'épaisseur de la couche d'oxyde semi-conducteur, une seconde face de la couche d'oxyde semi-conducteur, qui se trouve du côté du contre-substrat, présente une plus grande largeur qu'une première face, qui est la face de frontière entre la couche d'oxyde semi-conducteur et le substrat d'électrode. 少なくとも１つの光電変換セルを備える光電変換素子が開示されている。光電変換セルは、電極基板と、電極基板に対向する対向基板と、電極基板上に設けられる酸化物半導体層と、電極基板及び対向基板の間に設けられる電解質と、電極基板及び対向基板を接合する環状の封止部とを備えている。酸化物半導体層は、封止部の内側で且つ電極基板上に設けられ、電極基板から対向基板に向かって真っ直ぐに延びる本体部と、本体部から封止部側に突出し、電極基板に非接触の突出部とを有している。酸化物半導体層の厚さ方向に沿った断面においては、酸化物半導体層と電極基板との境界面である第１面の幅よりも、酸化物半導体層のうちの対向基板側の第２面の幅の方が長くなっている。