ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS

• Main Authors: ZIJLMANS, WIRO RUDOLF, BIJKER, MARTIN DINANT, LIJSTER, GUIDO, DULLEMEIJER, ERNST
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 21.07.2016
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The invention relates to an apparatus (1) for atomic layer deposition comprising a frame (2), an injector head (40) provided with longitudinal slots for respectively supplying gasses to respective deposition spaces (41,42,43,44,45,46,47) confined by the longitudinal slots and a substrate (8), wherein the longitudinal slots are directed transverse to a movement in a first direction (X) of the substrate with respect to the injector head (40),a sub frame (52) arranged to suspend the injector head; a movable carrier (30) arranged to support the substrate (8) for the movement in the first direction (X);and gas pads (53,54,55)at the sub frame (52)outside the injector head (40)between the sub frame 52 and the moveable carrier (30)to bear the sub frame (52) on the carrier (30) for the movement in the first direction (X),.wherein the apparatus further comprises actuators (60,61,62) for suspending the injector head (40) from the sub frame (52); and a control device (100) connected to the actuators (60,61,62) and arranged to control the actuators to adjust a working distance between a reference plane of the injector head (40) and the surface of the substrate (8) corresponding to a predetermined distance and to adjust an orientation of the injector head (40) corresponding to an orientation of the substrate (8) L'invention concerne un appareil (1) pour le dépôt de couche atomique comprenant un châssis (2), une tête d'injecteur (40) dotée de fentes longitudinales pour l'alimentation respective en gaz d'espaces de dépôt respectifs (41, 42, 43, 44, 45, 46, 47) limités par les fentes longitudinales et un substrat (8), les fentes longitudinales étant dirigées de manière transversale par rapport à un mouvement dans une première direction (X) du substrat par rapport à la tête d'injecteur (40), un sous-châssis (52) conçu pour suspendre la tête d'injecteur; un support mobile (30) conçu pour supporter le substrat (8) pour le mouvement dans la première direction (X); et des coussins de gaz (53, 54, 55) au niveau du sous-châssis (52) à l'extérieur de la tête d'injecteur (40) entre le sous-châssis (52) et le support mobile (30) pour supporter le sous-châssis (52) sur le support (30) pour le mouvement dans la première direction (X), l'appareil comprenant en outre des actionneurs (60, 61, 62) permettant de suspendre la tête d'injecteur (40) au sous-châssis (52); et un dispositif de commande (100) raccordé aux actionneurs (60, 61, 62) et conçu pour commander les actionneurs pour régler une distance de travail entre un plan de référence de la tête d'injecteur (40) et la surface du substrat (8) correspondant à une distance prédéterminée et pour régler une orientation de la tête d'injecteur (40) correspondant à une orientation du substrat (8).