METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, COMPOSITE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR BONDING SUBSTRATE

• Main Authors: NAKAMAE, KAZUO, NISHIBAYASHI, YOSHIKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.07.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This method for manufacturing a semiconductor substrate includes: a step for preparing a seed substrate (1) including a semiconductor material; a step for performing ion injection on the seed substrate (1), whereby an ion injection layer (2) is formed from the surface of a main face of the seed substrate (1) to a fixed depth; a step for causing a semiconductor layer (3) to grow on the main face of the seed substrate (1) using gas-phase synthesis; and a step for irradiating light (4) from the surface of the main face of the semiconductor layer (3) and/or the seed substrate (1), whereby a semiconductor substrate (5) including the semiconductor layer (3) and at least a part (1a) of the seed substrate is separated. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur qui consiste : en une étape de préparation d'un substrat germe (1) incluant un matériau semi-conducteur ; en une étape d'injection d'ions sur le substrat germe (1), une couche d'injection d'ions (2) étant formée depuis la surface d'une face principale du substrat germe (1) à une profondeur fixée ; en une étape de croissance d'une couche semi-conductrice (3) sur la face du substrat germe (1) par synthèse en phase gazeuse ; et en une étape de projection de lumière (4) depuis la surface de la face principale de la couche semi-conductrice (3) et/ou du substrat germe (1), un substrat semi-conducteur (5) incluant la couche semi-conductrice (3) et au moins une partie (1a) du substrat germe étant séparés. 　本発明の半導体基板の製造方法は、半導体材料を含む種基板（１）を準備する工程と、種基板（１）にイオン注入を行うことにより、種基板（１）の主面の表面から一定深さに、イオン注入層（２）を形成する工程と、種基板（１）の主面上に気相合成法により、半導体層（３）を成長させる工程と、半導体層（３）および種基板（１）の少なくともいずれかの主面の表面から光（４）を照射することにより、半導体層（３）および種基板の一部（１ａ）を含む半導体基板（５）を分離する工程とを含む。