PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, SOLAR CELL MODULE EQUIPPED WITH SAME, AND SOLAR-LIGHT-GENERATING SYSTEM

• Main Authors: SAKAI TOSHIHIKO, KUNIYOSHI TOKUAKI, KAMIKAWA TAKESHI, HARADA MASATOMI, ZOU LIUMIN
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.07.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A texture is formed on at least one surface of a semiconductor substrate (1). On the surface of the semiconductor substrate (1) on which the texture is formed are formed an n-type amorphous semiconductor layer (4), and a p-type amorphous semiconductor layer (5). The p-type amorphous semiconductor layer (5) is formed adjacently to the n-type amorphous semiconductor layer (4) in an in-plane direction of the semiconductor substrate (1). When the texture formed on the semiconductor substrate (1) is seen in plan view, the average value of the diameter of circumscribed circles of convex portions of the texture is less than 30 μm. Selon l'invention, une texture est formée sur au moins une surface d'un substrat semi-conducteur (1). Sur la surface du substrat semi-conducteur (1) sur laquelle est formée la texture sont formées une couche semi-conductrice amorphe du type n (4) et une couche semi-conductrice amorphe du type p (5). La couche semi-conductrice amorphe du type p (5) est formée adjacente à la couche semi-conductrice amorphe du type n (4) dans une direction plane du substrat semi-conducteur (1). Dans une vue plane de la texture formée sur le substrat semi-conducteur (1), la valeur moyenne du diamètre de cercles circonscrits de parties convexes de la texture est inférieure à 30 µm. 　半導体基板（１）の少なくとも一方の面にテクスチャが形成されている。半導体基板（１）のテクスチャが形成されている面に、ｎ型非晶質半導体層（４）と、ｐ型非晶質半導体層（５）が形成されている。ｐ型非晶質半導体層（５）は、半導体基板（１）の面内方向において、ｎ型非晶質半導体層（４）に隣接して形成されている。半導体基板（１）に形成されたテクスチャを平面視した場合に、テクスチャの凸部の外接円の直径の平均値は、３０μｍ未満である。