SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SOLID STATE IMAGING ELEMENT, IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC INSTRUMENT

• Main Author: FUJIWARA ATSUSHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.07.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention pertains to a semiconductor device, and to a semiconductor device with which, as regards the manufacture thereof, chipping caused by scattered dust or clogging occurring during dicing can be minimized, and peeling of the underlying passivation film can be minimized as well , so that the manufacturing yield can be improved and lower costs realized; a method for manufacturing the semiconductor device; a solid state imaging element; an imaging device; and an electronic instrument. In a step for exposing pads through etching, during etching of an uppermost lens material layer and passivation layer, pad portions and blade areas that will be cut into by the blade during dicing are etched simultaneously, and some or all of an area therebetween including both is etched simultaneously together. Thereafter, only the pad portions are etched in the layer of the semiconductor substrate below the lens material layer, and the pads are exposed. The present invention can be applied to a CMOS image sensor. La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur, et à un dispositif à semi-conducteur avec lequel, en ce qui concerne sa fabrication, un écaillage provoqué de la poussière dispersée ou un colmatage survenant pendant le découpage en dés peuvent être réduits au minimum, et un pelage du film de passivation sous-jacent peut également être réduit au minimum, de manière à pouvoir améliorer le rendement de fabrication et à réaliser des coûts plus bas ; à un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur ; à un élément d'imagerie transistorisé ; à un dispositif d'imagerie ; et à un instrument électronique. À une étape consistant à dénuder des plages de connexion par gravure, pendant la gravure d'une couche de matériau de lentille la plus haute et d'une couche de passivation, des parties plage de connexion et des zones de lame dans lesquelles la lame coupera pendant le découpage en dés sont gravées simultanément, et une partie ou la totalité d'une zone entre elles comprenant les deux est gravée simultanément en même temps. Ensuite, seules les parties plage de connexion sont gravées dans la couche du substrat semi-conducteur au-dessous de la couche de matériau de lentille, et les plages de connexion sont dénudées. La présente technique peut être appliquée à un capteur d'image CMOS. 　本技術は、半導体装置と、その製造について、ダイシングにより発生する飛散ダストや目詰まりによるチッピング、さらには、下地のパシベーション膜からの剥がれを抑制し、製造に係る歩留まりを向上し、より低コスト化を実現できるようにする半導体装置、および半導体装置の製造方法、固体撮像素子、撮像装置、並びに電子機器に関する。 エッチングによりパッドをむき出しにさせる工程において、最上層のレンズ材料層とパシベーション層をエッチングする際に、パッド部と、ダイシングする際にブレードにより切り込まれるブレード領域とを同時にエッチングすると共に、双方を含むその間の領域の一部、または全体を合わせて同時にエッチングする。その後、レンズ材料層の下の半導体基板の層では、パッド部のみをエッチングし、パッドをむき出しにする。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。