SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND RECORDING MEDIUM

• Main Author: KAGA YUKINAO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.06.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

This semiconductor device manufacturing method has: a step for rotating a substrate support, which is housed in a treatment chamber, and in which a substrate is supported by means of a column; and a step for supplying, in a state wherein the substrate support is rotating, a treatment gas to the substrate from a first gas supply port positioned on the horizontal direction outer side of the substrate, said treatment gas containing a first gas. In the step for supplying the treatment gas, the first gas is supplied to the substrate at timing that is selected such that a column is not present between the first gas supply port and the substrate. La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur comportant : une étape de rotation d'un support de substrat, qui est logé dans une chambre de traitement, et dans laquelle un substrat est supporté au moyen d'une colonne ; et une étape de fourniture, dans un état dans lequel le support de substrat est en rotation, d'un gaz de traitement au substrat à partir d'un premier orifice d'alimentation en gaz positionné sur le côté extérieur du substrat dans la direction horizontale, ledit gaz de traitement contenant un premier gaz. Dans l'étape de fourniture de gaz de traitement, le premier gaz est fourni au substrat à un moment qui est choisi de telle sorte qu'une colonne n'est pas présente entre le premier orifice d'alimentation en gaz et le substrat. 　半導体装置の製造方法は、処理室に収容され、基板が柱によって支持された基板支持具を回転させる工程と、基板支持具が回転している状態で、基板の水平方向外側に位置する第１のガス供給孔から、基板に対して第１のガスを含む処理ガスを供給する工程と、を有し、処理ガスを供給する工程では、第１のガス供給孔と基板との間に柱が存在しないように選択されたタイミングで、基板に対して第１のガスを供給する。