TRENCH GATE POWER SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR

• Main Authors: ZHOU, XIANDA, FUNG, SHUK-WA, SIN, JOHNNY KIN ON
• Format: Patent
• Language: Chinese; English; French
• Published: 09.06.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a trench gate power MOSFET (TMOS/UMOS) structure having a heavily-doped polysilicon source region (11). The polysilicon source region (11) is formed by deposition, and a trench-shaped contact hole (42) is used in the source region so as to obtain small contact resistance and small cell size. The trench gate power MOSFET structure can also be implemented in an IGBT. L'invention concerne une structure de transistor MOSFET de puissance (TMOS/UMOS) avec grille en tranchée ayant une région source (11) en polysilicium fortement dopée. La région source en polysilicium (11) est formée par dépôt, et un trou de contact (42) sous forme de tranchée est utilisé dans la région source pour obtenir une faible résistance de contact et une petite dimension de cellule. La structure de transistor MOSFET de puissance avec grille en tranchée peut également être mise en oeuvre dans un transistor bipolaire à grille isolée. 提供具有重掺杂的多晶硅源区（11）的沟槽栅功率MOSFET（TMOS／UMOS）结构。所述多晶硅源区（11）通过淀积形成，并且沟槽形接触孔（42）用于所述源区处，以便获得小接触电阻和小元胞尺寸。还可