METHOD FOR FORMING SEALING FILM, AND SEALING FILM

• Main Authors: FUJIMOTO TAKAYOSHI, YAMASHITA, MASAMICHI, MORI, MASAKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 19.05.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; LAYERED PRODUCTS; LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT ORNON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM; METALLURGY; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TRANSPORTING

Provided is a method for forming a sealing film, which is capable of stably forming a sealing film having high barrier properties. Specifically provided is a method for forming a sealing film by alternately forming, on a base 2, buffer layers M1 and a barrier layer M2 that has a higher density than the buffer layers M1, and this method comprises a first buffer layer formation step wherein a first buffer layer M1a is formed on the surface of the base 2, a first barrier layer formation step wherein a barrier layer M2 is formed on the surface of the first buffer layer M1, and a second buffer layer formation step wherein a second buffer layer M1b is formed on the surface of the barrier layer M2 that has been formed in the first barrier layer formation step. The ratio of the film thickness of a portion of the first buffer layer M1a formed in the direction inclined to the thickness direction of the base 2 to the film thickness of another portion of the first buffer layer M1a formed in the thickness direction of the base 2 is closer to 1 than the ratio of the film thickness of a portion of the second buffer layer M1b formed in the direction inclined to the thickness direction to the film thickness of another portion of the second buffer layer M1b formed in the thickness direction. L'invention porte sur un procédé de formation d'un film d'étanchéité qui permet de former, de façon stable, un film d'étanchéité ayant des propriétés de barrière élevées. Plus précisément, l'invention porte sur un procédé de formation d'un film d'étanchéité qui consiste à former en alternance, sur une base (2), des couches tampons (M1) et une couche barrière (M2) dont la densité est supérieure à celle des couches tampon (M1), ce procédé comprenant les étapes suivantes : la formation d'une première couche tampon (M1a), qui est formée sur la surface de la base (2), la formation d'une première couche barrière (M2), qui est formée sur la surface de la première couche tampon (M1), et la formation d'une seconde couche tampon (M1b), qui est formée sur la surface de la couche barrière (M2), qui a été formée dans l'étape de formation de première couche barrière. Le rapport de l'épaisseur de film d'une partie de la première couche tampon (M1a), formée dans une direction inclinée par rapport à la direction de l'épaisseur de la base (2), à l'épaisseur de film d'une autre partie de la première couche tampon (M1a), formée dans la direction de l'épaisseur de la base (2), est plus proche de 1 que le rapport de l'épaisseur de film d'une partie de la seconde couche tampon (M1b), formée dans la direction inclinée par rapport à la direction de l'épaisseur, à l'épaisseur de film d'une autre partie de la seconde couche tampon (M1b), formée dans la direction de l'épaisseur. 　高いバリア性を有する封止膜を安定して形成することができる封止膜の形成方法を提供する。具体的には、基材２上にバッファ層Ｍ１とバッファ層Ｍ１より密度が高いバリア層Ｍ２とを交互に成膜して封止膜を形成する封止膜の形成方法であり、基材２の表面に第１のバッファ層Ｍ１ａを成膜させる第１のバッファ層成膜工程と、第１のバッファ層Ｍ１の表面にバリア層Ｍ２を成膜させる第１のバリア層成膜工程と、第１のバリア層形成工程で成膜させたバリア層Ｍ２の表面に第２のバッファ層Ｍ１ｂを成膜させる第２のバッファ層成膜工程と、を有し、第１のバッファ層Ｍ１ａにおける基材２の厚み方向に成膜された部分の膜厚に対する当該厚み方向に対して傾斜した方向に成膜された部分の膜厚の比率は、第２のバッファ層Ｍ１ｂにおける前記厚み方向に成膜された部分の膜厚に対する前記厚み方向に対して傾斜した方向に成膜された部分の膜厚の比率よりも１に近い。