SOLID-STATE IMAGING DEVICE, CAMERA MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

The present technology relates to: a solid-state imaging device which enables deficiencies in the external appearance thereof to be inhibited; a camera module; and an electronic device. Provided is a solid-state imaging device which is provided with: a semiconductor substrate having, formed therein,...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author HAREYAMA KOSUKE
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 12.05.2016
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:The present technology relates to: a solid-state imaging device which enables deficiencies in the external appearance thereof to be inhibited; a camera module; and an electronic device. Provided is a solid-state imaging device which is provided with: a semiconductor substrate having, formed therein, a plurality of pixels provided with photoelectric conversion elements; and on-chip lenses which are formed above the semiconductor substrate so as to correspond to the pixels. The area where the on-chip lenses are formed extends to an outer peripheral area, i.e. an area outside an imaging area comprising the plurality of pixels. The present technology is applicable to solid-state imaging devices such as CMOS image sensors. La présente invention concerne : un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui permet d'empêcher des imperfections dans son aspect externe ; un module de caméra ; et un dispositif électronique. L'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui est pourvu : d'un substrat semi-conducteur à l'intérieur duquel sont formés une pluralité de pixels pourvus d'éléments de conversion photoélectrique ; et de lentilles sur puce qui sont formées au-dessus du substrat semi-conducteur de manière à correspondre aux pixels. La zone dans laquelle les lentilles sur puce sont formées s'étend jusqu'à une zone périphérique extérieure, c'est-à-dire une zone située à l'extérieur d'une zone d'imagerie comprenant la pluralité de pixels. La présente invention est applicable à des dispositifs d'imagerie à semi-conducteurs tels que des capteurs d'image CMOS.  本技術は、固体撮像装置の外観上の不具合を抑制することができるようにする固体撮像装置、カメラモジュール、及び、電子機器に関する。 光電変換素子を有する複数の画素が形成された半導体基板と、半導体基板の上方に、画素に対応して形成されるオンチップレンズとを備え、オンチップレンズが形成された領域は、複数の画素からなる撮像領域に対して外側の領域となる外周領域に拡張されている固体撮像装置が提供される。本技術は、例えばCMOSイメージセンサ等の固体撮像装置に適用することができる。
Bibliography:Application Number: WO2015JP79818