THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: MATSUBARA, RYOHEI, ISHIZAKI, MAMORU, NISHIZAWA, MAKOTO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.05.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

To provide a thin-film transistor array having high-uniformity transistor characteristics. A thin-film transistor array in which a plurality of thin-film transistors are arranged in a matrix on a substrate, the thin-film transistors including a source electrode and a drain electrode formed on a gate insulation layer, and a semiconductor layer formed on the gate insulation layer and between the source electrode and the drain electrode; wherein the semiconductor layer is formed as a stripe across a plurality of thin-film transistors, the long axis direction of the stripe coinciding with the channel width direction of the transistor, and said array being configured so that the cross-section film thickness in the short axis direction of the stripe gradually decreases from the center of the semiconductor stripe towards the outside. 　La présente invention vise à proposer un réseau de transistors en couches minces présentant des caractéristiques de transistor d'uniformité élevée. La présente invention porte sur un réseau de transistors en couches minces dans lequel une pluralité de transistors en couches minces sont agencés dans une matrice sur un substrat, les transistors en couches minces comprenant une électrode de source et une électrode de drain formées sur une couche d'isolation de grille, et une couche semi-conductrice formée sur la couche d'isolation de grille et entre l'électrode de source et l'électrode de drain ; la couche semi-conductrice étant formée en tant que bande de part et d'autre d'une pluralité de transistors en couches minces, la direction d'axe long de la bande coïncidant avec la direction de largeur de canal du transistor, et ledit réseau étant configuré de telle sorte que l'épaisseur de film de section transversale dans la direction d'axe court de la bande diminue progressivement depuis le centre de la bande semi-conductrice vers l'extérieur. 　トランジスタ特性の均一性が高い薄膜トランジスタアレイを提供する。　ゲート絶縁層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、ゲート絶縁層上であってソース電極およびドレイン電極の間に形成された半導体層とを含む複数の薄膜トランジスタを基板上にマトリクス状に配置した薄膜トランジスタアレイであって、半導体層は、複数の薄膜トランジスタにまたがりストライプ形状に形成され、ストライプの長軸方向とトランジスタのチャネル幅方向が一致しており、ストライプの短軸方向の断面膜厚形状において膜厚が半導体ストライプの中央から外側に向かって徐々に薄くなっている形状である。