METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
As a first grinding step, the outer circumferential section of the rear surface of a wafer (1) is ground with a first grinding stone (17) to form a crushed layer (19) on the outer circumferential section. Next, as a second grinding step, the center section of the rear surface of the wafer (1) is gro...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
14.04.2016
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Summary: | As a first grinding step, the outer circumferential section of the rear surface of a wafer (1) is ground with a first grinding stone (17) to form a crushed layer (19) on the outer circumferential section. Next, as a second grinding step, the center section of the rear surface of the wafer (1) is ground using the first grinding stone (17) to form a recessed section (21) while leaving the outer circumferential section on which the crushed layer (19) was formed as a rib (20). Next, as a third grinding step, a second grinding stone (22) having a smaller abrasive grain diameter than the first grinding stone is used to grind the bottom surface of the recessed section (21) to thin the wafer (1).
Dans la présente invention, comme première étape de meulage, la section circonférentielle externe de la surface arrière d'une plaquette (1) est broyée avec une première meule (17) pour former une couche concassée (19) sur la section circonférentielle externe. Ensuite, comme deuxième étape de meulage, la section centrale de la surface arrière de la plaquette (1) est broyée à l'aide de la première meule (17) pour former une section renfoncée (21) tout en laissant la section circonférentielle externe sur laquelle la couche concassée (19) a été formée comme une nervure (20). Ensuite, comme troisième étape de meulage, une seconde meule (22) ayant un diamètre de grains abrasifs plus petit que la première meule est utilisée pour meuler la surface inférieure de la section évidée (21) afin d'affiner la plaquette (1).
第1研削工程として、ウエハ(1)の裏面の外周部を第1の砥石(17)で研削して外周部に破砕層(19)を形成する。次に、第2研削工程として、破砕層(19)を形成した外周部をリブ(20)として残しつつ、ウエハ(1)の裏面の中央部を第1の砥石(17)で研削して凹部(21)を形成する。次に、第3研削工程として、第1の砥石(17)より砥粒径の小さい第2の砥石(22)を用いて凹部(21)の底面を研削してウエハ(1)を薄化する。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2014JP77207 |