SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Author: WATANABE, NAOTAKE
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.03.2016
• Subjects: ELECTRICITY; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; TESTING

A semiconductor integrated circuit device 1000 is provided with: a first semiconductor chip CHP1 having a first circuit; and a second semiconductor chip CHP2 having a second circuit and being different from the first semiconductor chip. The semiconductor integrated circuit device 1000 is also provided with a control circuit BTCNT for controlling the operations of the first and second circuits according to a control signal during a burn-in test, wherein said control circuit BTCNT controls the first and second circuits so that the amount of stress acting on the first semiconductor chip CHP1 by the operation of the first circuit and the amount of stress acting on the second semiconductor chip CHP2 by the operation of the second circuit are made different from each other during the burn-in test. L'invention concerne un dispositif 1000 de circuit intégré à semiconducteur comporte: une première puce CHP1 à semiconducteur dotée d'un premier circuit; et une deuxième puce CHP2 à semiconducteur dotée d'un deuxième circuit et différente de la première puce à semiconducteur. Le dispositif 1000 de circuit intégré à semiconducteur comporte également un circuit BTCNT de commande servant à commander les actions des premier et deuxième circuits d'après un signal de commande pendant un test de déverminage, ledit circuit BTCNT de commande commandant les premier et deuxième circuits de telle sorte que la quantité de contrainte agissant sur la première puce CHP1 à semiconducteur par l'action du premier circuit et que la quantité de contrainte agissant sur la deuxième puce CHP2 à semiconducteur par l'action du deuxième circuit soient rendus différentes l'une de l'autre pendant le test de déverminage. 　半導体集積回路装置１０００は、第１回路を有する第１半導体チップＣＨＰ１と、第２回路を有し、第１半導体チップとは異なる第２半導体チップＣＨＰ２とを具備する。半導体集積回路装置１０００は、バーイン試験のとき、制御信号に従って、第１回路および第２回路の動作を制御する制御回路ＢＴＣＮＴを具備し、バーイン試験のとき、第１回路が動作することにより第１半導体チップＣＨＰ１に作用するストレス量と、第２回路が動作することにより第２半導体チップＣＨＰ２に作用するストレス量とが異なるように、制御回路ＢＴＣＮＴは第１回路および第２回路を制御する。