CYLINDRICAL FORMED BODY FOR Cu PILLARS FOR SEMICONDUCTOR CONNECTION

• Main Authors: ODA, DAIZO, TERASHIMA, SHINICHI, YAMADA, TAKASHI, HAIBARA, TERUO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.03.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention addresses the issues of, when providing and electrically connecting Cu pillars to semiconductor chips, increasing the height/diameter ratio of Cu pillars, improving productivity, enabling the height of Cu pillars to be increased, and increasing the reliability of Cu pillars, in comparison to methods whereby Cu pillars are formed by plating. In order to solve said issues, a material for Cu pillars is pre-formed as a cylindrical formed body and this cylindrical formed body is electrically connected to an electrode upon a semiconductor chip, to provide a Cu pillar. As a result, the height/diameter ratio of Cu pillars can be at least 2.0. Electric plating is not used, therefore the time required for Cu pillar production can be shortened and productivity improved. In addition, the Cu pillar height can be at least 200 µm, making the Cu pillars suitable for molded underfill. Components can be freely adjusted, thereby enabling easy design of alloy components for highly reliable Cu pillars. La présente invention aborde les questions consistant, lorsque de la réalisation et du raccordement électrique de colonnes en Cu à des puces à semiconducteurs, à accroître le rapport hauteur/diamètre de colonnes en Cu, à améliorer la productivité, à permettre l'accroissement de la hauteur de colonnes en Cu, et à accroître la fiabilité de colonnes en Cu, par comparaison aux procédés où des colonnes en Cu sont formées par dépôt. Afin de résoudre lesdites questions, un matériau pour colonnes en Cu est préformé comme un corps façonné cylindrique et ce corps façonné cylindrique est relié électriquement à une électrode sur une puce à semiconducteur, pour donner une colonne en Cu. De ce fait, le rapport hauteur/diamètre des colonnes en Cu peut être d'au moins 2,0. Comme le dépôt électrique n'est pas utilisé, le temps nécessaire pour la production des colonnes en Cu peut être raccourci et la productivité améliorée. De plus, la hauteur des colonnes en Cu peut être d'au moins 200 µm, rendant les colonnes en Cu adéquates pour un "underfill" moulé. Les composants peuvent être adaptés librement, permettant ainsi une conception aisée de composants en alliage pour des colonnes en Cu hautement fiables. 　本発明は、半導体チップにＣｕピラーを設けて電気的接続を行うに際し、めっき法でＣｕピラーを形成する方法に比較してＣｕピラーの高さ／直径比を大きくし、生産性を向上し、Ｃｕピラーの高さを高くすることを可能とし、Ｃｕピラーの信頼性を向上することを課題とする。　本発明は、課題を解決するために、予めＣｕピラー用の材料を円柱状形成物として形成しておき、この円柱状形成物を半導体チップ上の電極に接続してＣｕピラーとする。これにより、Ｃｕピラーの高さ／直径比を２．０以上とすることが可能となる。電気めっき法を用いないので、Ｃｕピラー製造に要する所要時間が短く、生産性を向上できる。また、Ｃｕピラー高さを２００μｍ以上に高くすることができるので、モールドアンダーフィルのために好適である。成分を自由に調整することができるため、信頼性の高いＣｕピラーの合金成分設計を容易に行うことができる。