PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERNING OF DEVICES

• Main Authors: BYRNE, FRANK XAVIER, O'TOOLE, TERRENCE ROBERT, DEFRANCO, JOHN ANDREW
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 04.02.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of patterning a device is disclosed using a resist precursor structure having at least two fluoropolymer layers. A first fluoropolymer layer includes a first fluoropolymer material having a fluorine content of at least 50% by weight and is substantially soluble in a first hydrofluoroether solvent or in a first perfluorinated solvent, but substantially less soluble in a second hydrofluoroether solvent relative to both the first hydrofluoroether and the first perfluorinated solvent. The second fluoropolymer layer includes a second fluoropolymer material having a fluorine content less than that of the first fluoropolymer material and is substantially soluble in the first or second hydrofluoroether solvents, but substantially less soluble in the first perfluorinated solvent relative to both the first and second hydrofluoroether solvents. La présente invention concerne un procédé de modelage d'un dispositif à l'aide d'une structure précurseur de réserve comprenant au moins deux couches de polymère fluoré. Une première couche de polymère fluoré comprend un premier matériau polymère fluoré présentant une teneur en fluor d'au moins 50 % en poids et est sensiblement soluble dans un premier solvant à base d'hydrofluoroéther ou dans un premier solvant perfluoré, mais sensiblement moins soluble dans un second solvant à base d'hydrofluoroéther par rapport à la fois au premier solvant à base d'hydrofluoroéther et au premier solvant perfluoré. La seconde couche de polymère fluoré comprend un second matériau polymère fluoré présentant une teneur en fluor inférieure à celle du premier matériau polymère fluoré et est sensiblement soluble dans le premier ou le second solvant à base d'hydrofluoroéther, mais sensiblement moins soluble dans le premier solvant perfluoré par rapport à la fois au premier et au second solvant à base d'hydrofluoroéther.