SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Authors: IWAI, HARUNORI, FUJINAGA, TETSUSHI, MATSUMOTO, MASAHIRO, IHORI, ATSUHITO, TANI, NORIAKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.02.2016
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

This substrate processing apparatus (10) is provided with: a plasma generation part for generating a plasma of a process gas in a plasma generation space in which a substrate (1) is disposed; a cooling part (20) that faces the substrate with a cooling space (55) lying therebetween and has a supply port (26) through which the process gas is supplied to the cooling space; a process gas supply part (30) for supplying the process gas to the cooling part (20); and a communication part (56) that makes the cooling space (55) and the plasma generation space communicate with each other so as to supply the process gas supplied to the cooling space to the plasma generation space. L'invention concerne un appareil de traitement de substrat (10), pourvu : d'une partie de production de plasma pour la production d'un plasma d'un gaz de traitement dans un espace de production de plasma dans lequel un substrat (1) est disposé ; d'une partie de refroidissement (20) qui est en regard du substrat, un espace de refroidissement (55) se trouvant entre eux, et qui comprend un orifice d'apport (26) par lequel le gaz de traitement est apporté à l'espace de refroidissement ; d'une partie d'apport de gaz de traitement (30) pour apporter le gaz de traitement à la partie de refroidissement (20) ; et d'une partie de communication (56) qui permet à l'espace de refroidissement (55) et à l'espace de production de plasma de communiquer l'un avec l'autre de manière à apporter à l'espace de production de plasma le gaz de traitement apporté à l'espace de refroidissement. 基板処理装置（10）は、基板（1）が配置されるプラズマ生成空間にプロセスガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、基板に対して冷却空間（55）を介して向かい合い、冷却空間にプロセスガスを供給する供給口（26）を有する冷却部（20）と、冷却部（20）にプロセスガスを供給するプロセスガス供給部（30）と、冷却空間（55）とプラズマ生成空間とを連通し、冷却空間に供給されたプロセスガスをプラズマ生成空間に供給するための連通部（56）とを備える。