OPTICAL DEVICE USING ECHELLE GRATING THAT PROVIDES TOTAL INTERNAL REFLECTION OF LIGHT

Embodiments of the present disclosure are directed toward techniques and configurations for an optical device having a semiconductor layer to propagate light and a mirror disposed inside the semiconductor layer and having echelle grating reflective surface to substantially totally internally reflect...

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Main Authors KRISHNAMURTHI, MAHESH, HSIEH, I-WEI, HAREL, OSHRIT, LIN, WENHUA, FRISH, HAREL, RONG, HAISHENG, BARKAI, ASSIA
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 21.01.2016
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Summary:Embodiments of the present disclosure are directed toward techniques and configurations for an optical device having a semiconductor layer to propagate light and a mirror disposed inside the semiconductor layer and having echelle grating reflective surface to substantially totally internally reflect the propagating light inputted by one or more input waveguides, to be received by one or more output waveguides. The waveguides may be disposed in the semiconductor layer under a determined angle relative to the mirror reflective surface. The determined angle may be equal to or greater than a total internal reflection angle corresponding to the interface, to provide substantially total internal reflection of light by the mirror. The mirror may be formed by an interface of the semiconductor layer comprising the mirror reflective surface and another medium filling the mirror, such as a dielectric. Other embodiments may be described and/or claimed. Selon des modes de réalisation, la présente invention concerne des techniques et des configurations pour un dispositif optique ayant une couche semi-conductrice pour propager la lumière, un miroir disposé à l'intérieur de la couche semi-conductrice et ayant une surface réfléchissante de réseau échelle pour réfléchir intérieurement sensiblement totalement la lumière de propagation entrée par un ou par plusieurs guides d'ondes d'entrée, de façon à être reçue par un ou par plusieurs guides d'ondes de sortie. Les guides d'ondes peuvent être disposés dans la couche semi-conductrice sous un angle déterminé par rapport à la surface réfléchissante de miroir. L'angle déterminé peut être égal ou supérieur à un angle de réflexion interne totale correspondant à l'interface, de manière à permettre une réflexion interne sensiblement totale de la lumière par le miroir. Le miroir peut être formé par une interface de la couche semi-conductrice comportant la surface réfléchissante du miroir et un autre milieu de remplissage du miroir, tel qu'un diélectrique. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
Bibliography:Application Number: WO2015US30184