SUPPORT SUBSTRATE FOR ION BEAM EXFOLIATION OF A CRYSTALLINE LAMINA

• Main Author: BRAILOVE, ADAM, A
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 14.01.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The disclosed embodiments relate to techniques for supporting crystalline donor material when it is subjected to ion implantation and exfoliation to produce a crystalline lamina. According to embodiments of the disclosure, a donor substrate of crystalline material is provided having a front surface and a back surface, and a support substrate is provided such that the back surface of the donor substrate can be bonded to the support substrate. As such, an ion dosage may be implanted to the front surface of the donor substrate to form a cleave plane within the donor substrate, thereby forming an implanted composite material. Consequently, a crystalline lamina may be cleaved from the donor substrate along the cleave plane, while the back surface remains bonded to the support substrate. Les modes de réalisation de l'invention concernent des techniques pour soutenir un matériau donneur cristallin lorsqu'il est soumis à une implantation ionique et une exfoliation afin de produire une lamelle cristalline. Selon des modes de réalisation de la présente invention, un substrat donneur en matériau cristallin est utilisé qui présente une surface avant et une surface arrière, et un substrat de support est utilisé de manière que la surface arrière du substrat donneur puisse être collée au substrat de support. De ce fait, une dose d'ions peut être implantée dans la surface avant du substrat donneur afin de former un plan de clivage dans le substrat donneur, ce qui permet de former un matériau composite implanté. Par conséquent, une lamelle cristalline peut être clivée du substrat donneur le long du plan de clivage, pendant que la surface arrière reste collée au substrat de support.