SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: KITAGAWA KAZUYA, HIRASAWA KAZUYA, TSUDA MIKA, SHIRATO YOJI, MOCHIZUKI SHUNSUKE, NAGAHASHI KEITA, KUROKAWA MOTOMI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.01.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This semiconductor device (100) is provided with: a metal plate (for example, a heatsink (130)); a semiconductor chip (110) provided at the first surface (131) side of the metal plate; an insulating resin layer (140) joined to a second surface (132) at the reverse side from the first surface (131) of the metal plate; and a molded resin (180) sealing the semiconductor chip (110) and the metal plate. The insulating resin layer (140) includes secondary aggregated particles (144) resulting from the isotropic aggregation of primary particles (143) of scaly boron nitride. When the thickness of the insulating resin layer (140) is D and the average particle size of the secondary aggregated particles (144) is d, d/D is 0.05-0.8 inclusive. L'invention concerne un dispositif semi-conducteur (100) comprenant : une plaque métallique (par exemple, un dissipateur de chaleur (130)) ; une puce semi-conductrice (110) disposée du côté première surface (131) de la plaque métallique ; une couche de résine isolante (140) reliée à une deuxième surface (132) du côté opposé à la première surface (131) de la plaque métallique ; et une résine moulée (180) scellant la puce semi-conductrice (110) et la plaque métallique. La couche de résine isolante (140) contient des particules agrégées secondaires (144) résultant de l'agrégation isotrope de particules primaires (143) de nitrure de bore écailleux. Lorsque l'épaisseur de la couche de résine isolante (140) est D et la taille moyenne des particules agrégées secondaires (144) est d, d/D est de 0,05 à 0,8 inclus. 　半導体装置（１００）は、金属板（例えばヒートシンク（１３０））と、金属板の第１面（１３１）側に設けられた半導体チップ（１１０）と、金属板の第１面（１３１）とは反対側の第２面（１３２）に接合された絶縁樹脂層（１４０）と、半導体チップ（１１０）および金属板を封止しているモールド樹脂（１８０）と、を備えている。絶縁樹脂層（１４０）は、鱗片状窒化ホウ素の一次粒子（１４３）が等方的に凝集してなる二次凝集粒子（１４４）を含んでいる。絶縁樹脂層（１４０）の厚みをＤ、二次凝集粒子（１４４）の平均粒子径をｄとすると、ｄ／Ｄが、０．０５以上０．８以下である。