OXIDE SEMICONDUCTOR EVALUATION APPARATUS AND OXIDE SEMICONDUCTOR EVALUATION METHOD

• Main Author: INUI, MASAHIRO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.12.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

In an oxide semiconductor evaluation apparatus and an oxide semiconductor evaluation method of the present invention, light having a predetermined wavelength and predetermined measuring waves are applied to an oxide semiconductor to be evaluated, and reflected waves of the measuring waves are measured, said reflected waves having been reflected by the oxide semiconductor. Furthermore, the thickness of the oxide semiconductor is measured. Then, on the basis of the oxide semiconductor thickness thus measured, intensity of the reflected waves is corrected. Consequently, in the oxide semiconductor evaluation apparatus and the oxide semiconductor evaluation method, since mobility of the oxide semiconductor is evaluated by considering the oxide semiconductor thickness as well, the mobility of the oxide semiconductor can be more accurately evaluated. Dans un appareil d'évaluation d'oxyde semi-conducteur et un procédé d'évaluation d'oxyde semi-conducteur selon la présente invention, de la lumière ayant une longueur d'onde prédéterminée et des ondes de mesure prédéterminées sont appliquées à un oxyde semi-conducteur à évaluer, et des ondes réfléchies des ondes de mesure sont mesurées, lesdites ondes réfléchies ayant été réfléchies par l'oxyde semi-conducteur. En outre, l'épaisseur de l'oxyde semi-conducteur est mesurée. Puis, sur la base de l'épaisseur d'oxyde semi-conducteur ainsi mesurée, l'intensité des ondes réfléchies est corrigée. Par conséquent, dans l'appareil d'évaluation d'oxyde semi-conducteur et le procédé d'évaluation d'oxyde semi-conducteur, étant donné que la mobilité de l'oxyde semi-conducteur est évaluée en prenant aussi en considération l'épaisseur d'oxyde semi-conducteur, la mobilité de l'oxyde semi-conducteur peut être plus précisément évaluée. 　本発明にかかる酸化物半導体評価装置および該方法では、評価対象の酸化物半導体に、所定波長の光と所定の測定波が照射され、前記酸化物半導体で反射された前記測定波の反射波が測定される。また、前記酸化物半導体の厚さが測定される。そして、この測定された前記酸化物半導体の厚さとに基づいて、前記反射波の強度が補正される。したがって、酸化物半導体評価装置および該方法は、前記酸化物半導体の厚さをさらに考慮することによって前記酸化物半導体の移動度を評価するので、より精度良く前記酸化物半導体の移動度を評価できる。