SEMICONDUCTOR DEVICE, BUILT-IN CAPACITOR UNIT, SEMICONDUCTOR-MOUNTING BODY, AND METHOD FOR MANUFACTURING BUILT-IN CAPACITOR UNIT

The present invention reduces jitter, which is a problem in a semiconductor component for processing signals at high speed. A semiconductor device having: a heat-resistant metallic plate; a capacitor part that is formed on one or more sides of the heat-resistant metallic plate and has a lower electr...

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Main Authors TOKUNAGA, SHINYA, SUGAYA, YASUHIRO, KATSUMURA, HIDENORI
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 03.12.2015
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Summary:The present invention reduces jitter, which is a problem in a semiconductor component for processing signals at high speed. A semiconductor device having: a heat-resistant metallic plate; a capacitor part that is formed on one or more sides of the heat-resistant metallic plate and has a lower electrode, a sintered dielectric part, and an upper electrode; a semiconductor chip fixed on the capacitor part; a lead frame; wires electrically connected to the semiconductor chip and/or the upper electrode; and a mold part into which at least the capacitor part and the semiconductor chip will be buried, wherein the semiconductor chip, the electrodes, the metallic plate, etc., are electrically connected via first, second, and third wires.  La présente invention permet de réduire la gigue, qui constitue un problème dans un composant à semi-conducteur pour traiter les signaux à une grande vitesse. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur ayant : une plaque métallique résistant à la chaleur ; une partie condensateur qui est formée sur un ou plusieurs côtés de la plaque métallique résistant à la chaleur et qui comporte une électrode inférieure, une partie diélectrique frittée, et une électrode supérieure ; une puce de semi-conductrice fixée sur la partie condensateur ; une grille de connexion ; des fils électriquement connectés à la puce de semi-conducteur et/ou à l'électrode supérieure ; et une partie de moule dans laquelle au moins la partie condensateur et la puce de semi-conducteur vont être enterrées, laquelle puce de semi-conducteur, lesquelles électrodes, laquelle plaque métallique, etc. sont connectées électriquement par l'intermédiaire de premier, second et troisième fils.  高速信号処理を行う半導体部品において問題となるジッターを低減する。 耐熱金属板と、この耐熱金属板の一面以上に形成された、下部電極と焼結誘電体部と上部電極とを有するキャパシタ部と、キャパシタ部の上に固定された半導体チップと、リードフレームと、半導体チップや上部電極とを電気的に接続するワイヤーと、少なくともキャパシタ部と半導体チップとを埋設するモールド部と、を有する半導体装置であって、半導体チップや電極、金属板等を第1、第2、第3ワイヤーを介して電気的に接続されている半導体装置とする。
Bibliography:Application Number: WO2015JP02639