SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: KANEGUCHI TOKIHISA, KAGAWA YOSHIHISA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.11.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present technology relates to: a semiconductor substrate that makes it possible to improve qualities of semiconductor devices; a semiconductor device; a semiconductor substrate manufacturing method; and a semiconductor device manufacturing method. In the present invention, a plurality of semiconductor devices are formed on a semiconductor substrate such that the semiconductor devices are aligned with each other with scribe regions among the semiconductor devices, and wiring lines are formed in the scribe regions. Then, at least a part of each of the wiring lines in the scribe regions is exposed, and the exposed portion of the wiring lines is exposed to a predetermined chemical solution, thereby removing a metal contained in the wiring lines in the scribe regions. The present invention is applicable to, for instance, semiconductor chips for image sensors or the like. La présente technologie concerne : un substrat semi-conducteur qui permet d'améliorer les qualités de dispositifs à semi-conducteur ; un dispositif à semi-conducteur ; un procédé de fabrication de substrat semi-conducteur ; et un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur. Dans la présente invention, une pluralité de dispositifs à semi-conducteur sont formés sur un substrat semi-conducteur de sorte que les dispositifs à semi-conducteur soient alignés les uns avec les autres avec des régions de traçage entre les dispositifs à semi-conducteur, et des lignes de câblage sont formées dans les régions de traçage. Ensuite, au moins une partie de chacune des lignes de câblage dans les régions de traçage est exposée, et la partie exposée des lignes de câblage est exposée à une solution chimique prédéterminée, de manière à éliminer un métal contenu dans les lignes de câblage dans les régions de traçage. La présente invention est applicable, par exemple, à des puces à semi-conducteur pour capteurs d'image ou similaire. 　本技術は、半導体装置の品質を向上させることができるようにする半導体基板、半導体装置、半導体基板の製造方法、及び、半導体装置の製造方法に関する。 複数の半導体装置がスクライブ領域を介して並ぶように半導体基板に形成されるとともに、スクライブ領域に配線が形成される。そして、スクライブ領域の配線の少なくとも一部が露出され、配線の露出した部分を所定の薬液に曝すことにより、スクライブ領域の配線に含まれるメタルが除去される。本発明は、例えば、イメージセンサ等の半導体チップに適用できる。