WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR BASED POWER SUPPLY FOR PLASMA CUTTING SYSTEMS AND RELATED MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: ZHANG, YU, KAMATH, GIRISH, R, LIU, QINGHUA, HOFFA, MICHAEL, BOROWY, DENNIS, M
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 08.10.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PERFORMING OPERATIONS; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOLDERING OR UNSOLDERING; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

In some aspects, plasma torch cutting systems can include a housing and a plasma torch power supply within the housing and configured to generate a signal that initiates generation of a plasma arc in a torch head, the power supply including an integrated circuit comprising a plurality of electronic components used to generate the signal that initiates generation of the plasma arc, at least one of the electronic components being at least partially formed of a wide bandgap semiconductor material. Dans certains aspects, l'invention concerne des systèmes de découpe au chalumeau à plasma pouvant comprendre un boîtier et une alimentation électrique de chalumeau à plasma à l'intérieur du boîtier et configurée pour générer un signal qui initie la génération d'un arc de plasma dans une tête de chalumeau. L'alimentation électrique comprend un circuit intégré comportant une pluralité de composants électroniques utilisés pour générer le signal qui initie la génération de l'arc de plasma, au moins un composant électronique étant au moins partiellement constitué d'un matériau semiconducteur à bande interdite large.